| 发明名称 | 原位自生TiC/Al复合材料超细晶粒细化剂制备工艺 | ||
| 摘要 | 一种原位自生TiC/Al复合材料超细晶粒细化剂制备工艺，属于金属材料领域，本发明晶粒细化剂的组分及其重量百分比为Ti 0.1～36％，C 0.02～8％，其余为Al，其中Ti∶C为4.5∶1；用助熔剂覆盖铝熔体进行熔炼，用助熔剂助熔晶粒细化剂预制块，包括以下步骤：(1)利用高温真空反应烧结法合成超细晶粒细化剂预制块；(2)对上述预制块保温烘干；(3)加入铝锭全部熔化后即加入氯盐、氟盐助熔剂覆盖熔体；(4)助熔剂熔化后加入经烘干的复合材料超细晶粒细化剂预制块；(5)预制块全部熔化后进行搅拌；(6)熔体静置后浇入锭模，即获得原位自生TiC/Al复合材料超细晶粒细化剂。该工艺合成的超细晶粒细化剂细化效果明显、细化衰退时间长，更易于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1266297C | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200310108740.9 | 申请日期 | 2003.11.20 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 王浩伟;马乃恒;张亦杰;李险峰;于敞 |
| 分类号 | C22C32/00(2006.01);C22C1/04(2006.01) | 主分类号 | C22C32/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1、一种原位自生TiC/Al复合材料超细晶粒细化剂制备工艺，其特征在于，晶粒细化剂的成份及其重量百分比为：Ti 0.1～36％，C 0.02～8％，其余为Al，其中Ti∶C比为4.5∶1，用助熔剂覆盖铝熔体进行熔炼，用助熔剂助熔晶粒细化剂预制块，包括以下步骤：(1)利用高温真空反应烧结法合成超细晶粒细化剂预制块；(2)对上述预制块保温烘干；(3)加入铝锭全部熔化后即加入氯盐、氟盐助熔剂覆盖熔体；(4)助熔剂熔化后加入经烘干的复合材料超细晶粒细化剂预制块；(5)预制块全部熔化后进行搅拌；(6)熔体静置后浇入锭模，即获得原位自生TiC/Al复合材料超细晶粒细化剂；步骤(2)中，预制块在150℃～250℃的范围内保温烘干2～5小时；步骤(4)中，预制块加入温度在750℃～850℃之间；步骤(5)中，搅拌速度为200～400rpm，搅拌时间为10～30min，搅拌温度750℃～800℃；步骤(6)中，熔体静置温度为700℃～750℃，静置时间为10～20min。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||