| 发明名称 | 具有铁电电容器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；MOS晶体管，形成在所述半导体衬底中，并具有绝缘栅以及所述绝缘栅两侧的源/漏区；铁电电容器，形成在所述半导体衬底上方，并具有下电极、铁电层及上电极；金属膜，形成在所述上电极上，并且其厚度为所述上电极厚度的一半或更薄；层间绝缘膜，埋置所述铁电电容器及所述金属膜；导电栓，形成为穿过所述层间绝缘膜、到达所述金属膜，并包括导电胶膜和钨体；以及铝接线，形成在所述层间绝缘膜上，并连接至所述导电栓。本发明解决了在F电容器上采用W栓而可能产生的靠近上电极接触的新问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1808717A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200510072992.X | 申请日期 | 2005.05.25 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 彦坂幸信;藤木充司;和泉宇俊;佐次田直也;土手晓 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;张浴月 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；MOS晶体管，形成在所述半导体衬底中，并具有绝缘栅以及所述绝缘栅两侧的源/漏区；铁电电容器，形成在所述半导体衬底上方，并具有下电极、铁电层及上电极；金属膜，形成在所述上电极上，并且其厚度为所述上电极厚度的一半或更薄；层间绝缘膜，埋置所述铁电电容器及所述金属膜；导电栓，形成为穿过所述层问绝缘膜、到达所述金属膜，并包括导电胶膜和钨体；以及铝接线，形成在所述层间绝缘膜上，并连接至所述导电栓。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||