存储单元以及电荷陷入层存储单元的阵列的操作方法

摘要

一种减少电荷陷入层存储单元中栅极干扰的方法，它是通过施加不同的Vpass电压于所选择的字线的不同侧。较高的Vpass电压用于通过较高的源极/漏极电压以及较低的Vpass电压用于通过较低的源极/漏极电压。当施加Vpass电压时，可通过控制所选择字线的不同侧上的Vpass电压，以减少栅极区域所建立的垂直电场。此减少的垂直电场将可抑制栅极干扰。此减少存储单元中栅极干扰的方法也包括新颖的位线偏压方案，其还可减少垂直电场的产生，以抑制栅极干扰，尤其是在存储单元阵列中的栅极干扰。

主权项

1.一种存储单元的操作方法，而每一个存储单元包括电荷陷入层，且多个存储单元是通过多条位线和字线而被选择，而该存储单元的操作方法的特征包括：辨别被选择的存储单元所在的字线，以作为被选择的字线；施加第一Vpass电压于该选择的字线一侧上的多条非选择的字线；以及施加第二Vpass电压于该被选择的字线的另一侧上的多条非选择的字线，其中该第二Vpass电压不同于该第一Vpass电压。