Multiple-gate transistor structure and method for fabricating,申请号SG20030005885-传众专利搜索

发明名称	Multiple-gate transistor structure and method for fabricating
摘要
申请公布号	SG123567(A1)	申请公布日期	2006.07.26
申请号	SG20030005885	申请日期	2003.10.03
申请人	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.	发明人	HAO-YU CHEN;YEE-CHIA YEO;FU-LIANG YANG
分类号	H01L21/336;H01L29/423;H01L29/76;H01L29/786	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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