| 发明名称 | 金属箔绕制的矮型电感－电容功率处理器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属箔绕制矮型功率电感-电容处理器。磁绕组(20)设置在芯子(40)内。磁绕组(20)可以由一组或多组导电金属箔(26)和绝缘薄膜(24)一起绕制成螺旋形来制作。磁绕组(20)还可以包括电介质薄膜(28)。磁绕组(20)可以具有孔(22)，在其中可以布置无磁和不导电的柱。柱还可以被分割成多个部分，其合并长度小于孔(22)的长度，以便在孔(22)内形成空气隙(50)。 | ||
| 申请公布号 | CN1266714C | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN02801543.6 | 申请日期 | 2002.05.06 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | W·G·奥登达尔 |
| 分类号 | H01F27/28(2006.01);H01F27/02(2006.01);H01F41/06(2006.01) | 主分类号 | H01F27/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种金属箔绕制的矮型功率电感-电容处理器，其特征在于包括：磁绕组(20)，所述磁绕组(20)的直径与所述磁绕组(20)的厚度之比大于或等于10∶1；电连接到所述磁绕组(20)的至少一个第一绕组端子(30)；电连接到所述磁绕组(20)的至少一个第二绕组端子(32)；以及芯子(40)，它至少部分包围所述磁绕组(20)并且工作时耦合到所述磁绕组(20)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||