发明名称 锗酸铋纳米粉体的制备方法
摘要 本发明涉及一种锗酸铋纳米粉体的制备方法。首先将铋盐溶解在有机溶剂中,形成铋盐浓度为0.5~5M的含铋溶液,再按摩尔比Bi∶Ge=12∶1将含锗化合物加入到含铋溶液中,充分搅拌,形成均匀的溶胶,对溶胶采用常压蒸发或负压蒸发,得到干燥的前驱体粉末,最后在有氧的环境中对前驱体粉末进行烧结,得到锗酸铋纳米粉体。本发明可以实现初始原料在分子尺度的均匀混合,因而可以在较低的温度和较短的时间内制备纯度和结晶度良好的Bi<SUB>12</SUB>GeO<SUB>20</SUB>纳米粉体。Bi<SUB>12</SUB>GeO<SUB>20</SUB>纳米粉体显示出高效的光催化活性,可以用于光催化降解有机污染物。
申请公布号 CN1807261A 申请公布日期 2006.07.26
申请号 CN200610023639.7 申请日期 2006.01.26
申请人 上海交通大学 发明人 顾明元;贺持缓
分类号 C01G29/00(2006.01);B01J23/18(2006.01) 主分类号 C01G29/00(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 毛翠莹
主权项 1、一种锗酸铋纳米粉体的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将铋盐溶解在有机溶剂中,形成铋盐浓度为0.5~5M的含铋溶液;2)按摩尔比Bi∶Ge=12∶1计,将含锗化合物加入到含铋溶液中,充分搅拌,形成均匀的溶胶;3)对溶胶采用常压蒸发或负压蒸发,蒸发温度控制在100~350℃,得到干燥的前驱体粉末;4)在有氧的环境中对前驱体粉末进行烧结,烧结温度为450~750℃,烧结时间为0.5~4小时,即得锗酸铋纳米粉体。
地址 200240上海市闵行区东川路800号