发明名称 |
采用双层结构的混合集成光路芯片 |
摘要 |
本发明涉及集成光路芯片技术领域,特别是一种采用双层结构的混合集成光路芯片。该混合集成光路芯片中,将混合集成光路芯片分为器件层与光线路层,光在两层之间典型的光行进路线为:由光纤输入、行进至光线路层、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、……、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、行进至光纤。器件层与光线路层的光连接,采用模斑转换结构扩大模斑尺寸、光栅耦合器或者光子晶体结构实现光的大角度拐弯来实现光在器件层和光连线层之间大对准容差的垂直光连接。 |
申请公布号 |
CN1808192A |
申请公布日期 |
2006.07.26 |
申请号 |
CN200510011211.6 |
申请日期 |
2005.01.20 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
陈鹏;刘育梁;李芳 |
分类号 |
G02B6/12(2006.01);G02B6/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B6/12(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
段成云 |
主权项 |
1.一种采用双层结构的混合集成光路芯片,其特征在于,该混合集成光路芯片中,将混合集成光路芯片分为器件层与光线路层,光在两层之间典型的光行进路线为:由光纤输入、行进至光线路层、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、……、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、行进至光纤。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |