| 发明名称 | 一种纳米SiC/Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基热电材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米SiC/Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料，通过机械合金化合成Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>化合物微细粉末，再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi<SUB>2</SUB>Te<SUB>3</SUB>前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括：配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于：工艺简便，合成化合物时间短，烧结温度低、时间短，可获得细小、均匀的组织，能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1807666A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200510130794.4 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 北京科技大学;清华大学 | 发明人 | 张波萍;李敬锋;赵立东;刘静 |
| 分类号 | C22C1/05(2006.01);C22C29/00(2006.01);B22F9/04(2006.01);B22F3/105(2006.01) | 主分类号 | C22C1/05(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
| 主权项 | 1、一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法，其特征在于：以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料，通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末，再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 | ||