| 发明名称 | 复合半导体膜、太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及由复合物形成的复合半导体膜，所述复合物含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。太阳能电池被构造为包括：基体(11)；在基体(11)上形成的导电层(12)；在导电层(12)上形成的吸光层(13)，所述吸光层用含有Ib族元素、IIIa族元素和VIa族元素的复合半导体形成；形成于所述吸光层(13)之上的上述复合半导体膜(14)；和形成于所述复合半导体膜(14)之上的透明导电层(16)。所述构造提供了具有低电阻率的复合半导体膜。另外，通过利用具有低电阻率的所述复合半导体膜作为太阳能电池的缓冲层，提高了太阳能电池的能量转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1809932A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200480017508.7 | 申请日期 | 2004.11.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 桥本泰宏;佐藤琢也;根上卓之 |
| 分类号 | H01L31/0336(2006.01);H01L31/072(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0336(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1.作为半导体膜的复合半导体膜，其含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||