| 发明名称 | 第III族氮化物半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体激光器，其中激励电压较低并且光线的横模稳定，它具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层，第III族氮化物半导体通过公式(Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>)<SUB>1-y</SUB>In<SUB>y</SUB>N(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示。该层包括一个激活层侧导引层，它接近于第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Al<SUB>x’</SUB>Ga<SUB>1-x’-y’</SUB>In<SUB>y’</SUB>N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)构成，沉积在所述引导层上并且具有条纹状孔隙的电流限制AlN层，包括一个由Al<SUB>x”</SUB>Ga<SUB>1-x”-y”</SUB>In<SUB>y”</SUB>N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)构成并且沉积填充电流限制层孔隙的电极侧导引层，以及一个由Al<SUB>u</SUB>Ga<SUB>1-u-v</SUB>In<SUB>v</SUB>N(其中0≤u≤1，0≤v≤1)构成并且沉积在电极侧导引层上的镀层。 | ||
| 申请公布号 | CN1266816C | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN02105992.6 | 申请日期 | 2002.04.12 |
| 申请人 | 先锋株式会社 | 发明人 | 渡边温;木村义则;太田启之 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01) | 主分类号 | H01S5/323(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1、一种具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层的氮化物半导体激光器，其中第III族氮化物半导体由公式(AlxGa1-x)1-yInyN表示，0≤x≤1，0≤y≤1，该氮化物半导体激光器包括：邻近所述第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Iny’Ga1-y’N构成的激活层侧导引层，其中0≤y’≤1；沉积在所述激活层侧导引层上并且具有条纹状孔隙的一个电流限制AlN层，其中所述电流限制AlN层不掺杂质；由Iny”Ga1-y”N构成的并且沉积以填充所述电流限制层孔隙的电极侧导引层，其中0≤y”≤1；以及由AluGa1-uN构成并且沉积在所述电极侧导引层上的一个镀层，其中0＜u≤1。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||