| 主权项 |
1.一种在具有第一温度范围之整体回路反应器中 聚合丙烯的方法,其包括以下步骤: 以第一频率将具有第二温度范围之一种量的二茂 金属错合物催化剂自与整体回路反应器有连络之 第一催化剂混合系统引入整体回路反应器;且 以第二频率将具有第三温度范围之一种量的齐格 勒-纳塔催化剂自与整体回路有连络之第二催化剂 混合系统引入整体回路反应器中。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一频率比第 二频率高。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中注射之第一频 率是每分钟介于60与120次间。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中第一温度范围 高于第二温度范围。 5.一种在整体回路反应器中聚合丙烯的方法,其包 括以下步骤: 在注射经承载之二茂金属错合物催化剂入整体回 路反应器中之前,使一种量之经承载二茂金属错合 物催化剂与第一量之净化剂接触;且 在注射齐格勒-纳塔催化剂系统入整体回路反应器 中之前,使一种量之齐格勒-纳塔催化剂系统与第 二量之净化剂接触。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中第一和第二量 之净化剂包括一种量之三乙基铝。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中第一量净化剂 和经承载之二茂金属错合物催化剂以1:4净化剂对 经承载二茂金属错合物催化剂至4:1净化剂对经承 载二茂金属错合物催化剂之比例范围存在。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中第二量之净化 剂和齐格勒-纳塔催化剂系统以5:1之净化剂对齐格 勒-纳塔催化剂系统至15:1之净化剂对齐格勒-纳塔 催化剂系统之比例范围存在。 9.一种使二茂金属错合物流与丙烯流接触的方法, 其包括以下步骤: 二茂金属错合物流导入会合点; 丙烯流导入会合点;且 使一部分二茂金属错合物流在丙烯流进入会合点 之下游处与一部分丙烯流分离一段距离。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中丙烯流之温 度范围在-10℃与+10℃间。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中在会合点之 下游的流速是0.3公尺/秒至10公尺∕秒。 12.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包括使 二茂金属错合物和丙烯之经接触流在足够之流动 条件下引入管线中,以使经接触流在管线中有0.001 秒到少于1分钟之停留时间。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中管线具有内 径且其中内径之部分具有0至120rms之粗糙度。 14.一种将抗生垢剂引入整体回路反应器中的方法, 其包括以下步骤: 一部分量之抗生垢剂注入催化剂混合系统;且 一部分之先前步骤的产物注入整体回路反应器。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中抗生垢剂是 选自由Stadis 450 Conductivity Improver、Synperonic抗生垢 剂、及Pluronic抗生垢剂所组成之群中的单独一员 或其与其它结合者。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中注入催化剂 混合系统之抗生垢剂的一部分被注入催化剂混合 系统中丙烯流与催化剂流之接触点处或下游处。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中注入催化剂 混合系统中之抗生垢剂的量在一段时间后会减低 。 图式简单说明: 图1是与气相反应器连络之整体回路反应器系器之 概略平面视图。 图2是另一整体回路反应器系统之概略平面视图。 图3是整体回路反应器系统之回路反应器元件之概 略平面视图。 图3A是催化剂混合和注射系统的概略平面视图。 图3B是另一催化剂混合和注射系统的概略平面视 图。 图4是接受丙烯和催化剂且说明羽毛管(quill)之管 线会合点的横截面视图。 |
