| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含: 一半导体晶粒具有一第一主表面与一相反的第二 主表面; 一第一功率电极设在该第一主表面上,并具有至少 一可焊接物设在其一部份上; 一控制电极设在该第一主表面上,并具有至少一可 焊接物设在其一部份上;及 一钝化体设在该第一功率电极上,并包含一开孔可 曝露该第一功率电极上的至少一可焊接物,该开孔 会比该至少一可焊接物更宽,而使该至少一可焊接 物会以一间隙来与该钝化体隔开,该间隙会包围第 一功率电极上的该至少一可焊接物。 2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该钝化 体亦包含另一开孔可曝露控制电极上的该至少一 可焊接物。 3.如申请专利范围第1项之半导体元件,更包含多数 的可焊接物设在该第一功率电极上,并有多数的开 孔设在该钝化体中,该各开孔会曝露第一功率电极 上之一对应的可焊接物,且系比该对应的可焊接物 更宽,而使该对应的可焊接物能以一间隙来与该钝 化体隔开,该间隙会包围第一功率电极上之该对应 的可焊接物。 4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该钝化 体系比第一功率电极上之该至少一可焊接物更厚, 而使该至少一可焊接物不会延伸超出该钝化体。 5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中在第一 功率电极上之该至少一可焊接物系包括银。 6.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中在第一 功率电极上之该至少一可焊接物系由一可焊接的 三合金属所构成,该三合金属的顶部系为银。 7.如申请专利范围第1项之半导体元件,更包含一第 二功率电极设在第二主表面上,及一导电夹,且该 第二功率电极系被一导电黏剂电连接于该导电夹 。 8.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该导电 夹含有银设在其一外表面上。 9.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该导电 夹系呈套盖状。 10.如申请专利范围第1项之半导体元件,更包含一 第二功率电极设在该第一主表面上,及至少一可焊 接物设在该第二功率电极上,其中该钝化体包含一 开孔可曝露该第二电极上的可焊接物,且会比该至 少一可焊接物更宽,而使该第二功率电极上的该至 少一可焊接物以一间隙与该钝化体隔开,该间隙会 包围第二功率电极上之该至少一可焊接物。 11.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该半 导体晶粒系为一功率MOSFET,该第一功率电极为一源 极电极,而控制电极为一闸极电极。 12.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该钝 化体系为环圈氧基树脂类的钝化物。 13.一种半导体元件,包含: 一半导体晶粒,其一面系能以一导电黏剂直接连结 于一导电接垫,该一面包含至少一功率电极,一钝 化体设在该至少一电极上,一开孔设于该钝化体中 而可曝露该至少一电极,一可焊接物设在该至少一 电极上,该可焊接物系比该开孔更窄小,而使一间 隙存在于该钝化体与可焊接物之间。 14.如申请专利范围第13项之半导体元件,其中该一 面更包含一控制电极,及一可焊接物设在该控制电 极上,且该钝化体包含一开孔会曝露该控制电极上 的可焊接物。 15.如申请专利范围第13项之半导体元件,其中该一 面更包含另一功率电极,及一可焊接物设在该另一 功率电极上,且该钝化体包含一开孔会曝露该另一 功率电极上的可焊接物,该可焊接物系比该开孔更 窄小,而使一间隙存在于该钝化体与该另一功率电 极上的可焊接物之间。 16.如申请专利范围第13项之半导体元件,其中该半 导体晶粒系为一种二极体。 17.如申请专利范围第13项之半导体元件,其中该半 导体晶粒系为一种功率MOSFET。 18.如申请专利范围第13项之半导体元件,更包含多 数的可焊接物设在该至少一功率电极上,并互相分 开,其中该钝化体包含多数的开孔各会曝露一对应 的可焊接物且系比其更宽,而使一间隙存在于各焊 接物与钝化体之间。 19.如申请专利范围第13项之半导体元件,其中该可 焊接物包括银。 20.如申请专利范围第13项之半导体元件,其中该钝 化体系为树脂胶剂。 图式简单说明: 第1图示出本发明的第一实施例之半导体元件的顶 视图。 第2图示出本发明第一实施例沿2-2线并由箭号方向 所见的截面图。 第3图示出本发明第二实施例之半导体元件的顶视 图。 第4图示出本发明第三实施例之半导体元件的顶视 图。 第5图为本发明之一封装体的顶视图。 第6图为本发明之一封装体的底视图。 第7图示出本发明之一封装体沿7-7线并由箭号方向 所见的截面图,其系被安装在一基材的导电接垫上 。 第8图为一具有多数晶粒之晶圆的顶视图。 第9图为一具有多数晶粒的晶圆在其上设有电极之 后的顶视图。 第10图为第9图之晶圆的5-5部份在制成多数可焊接 层之后的示意图。 第11图为5-5部份在覆设一钝化体之后的示意图。 第12图为该晶圆的5-5部份在有开孔设在各可焊接 层上的钝化体中之后的示意图。 |
