| 主权项 |
1.一种熔合包括第一隧道接合装置之记忆体储存 元件之方法,其特征为包括以下步骤: 将该记忆体储存元件与包括第二隧道接合装置之 控制元件串联,因此形成串联组合,以及 对该串联组合施加适当电流,将该记忆体储存元件 之该第一隧道接合装置熔合,同时保护该控制元件 之该第二隧道接合装置防止其熔合。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二隧道接 合装置具有特征熔合临界电压,且该保护步骤藉由 以下方式实施:防止跨接该控制元件之该第二隧道 接合装置之电压超过该特征熔合临界电压。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该熔合临界电 压防止是藉由以下方式实施:将感测放大器连接至 该串联组合;感测流经该串联组合之适当电压与电 流之至少一参数;且根据该所感测之参数将流经该 串联组合之该电流控制至适当値。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该所感测适当 电压是藉由将参考隧道接合装置电性耦合连接至 电流源所决定之电压。 5.如申请专利范围第2项之方法,更包括提供参考隧 道接合装置之步骤,其中该熔合临界电压防止是藉 由以下方式实施:将感测放大器连接至该串联组合 ;感测流经该参考装置之适当电压与电流之至少一 参数;以及根据该所感测之参数将流经该串联组合 之该电流控制至适当値。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该参考装置是 与该记忆体储存元件与该控制元件之该串联组合 连接成电流镜子结构。 7.一种熔合包括第一隧道接合装置之记忆体储存 元件之方法,此装置具有第一特征熔合临界电压而 与控制元件串联,此控制元件包括具有第二特征熔 合临界电压之第二隧道接合装置,该串联组合与参 考元件并联,该参考元件包括第三隧道接合装置, 其具有小于或实质上等于该第二特征熔合临界电 压第三特征熔合临界电压,其特征为包括以下步骤 : 将适当电流施加于该串联组合,以熔合该记忆体储 存元件之该第一隧道接合装置,而同时感测流经该 参考元件之适当电压与电流之至少一参数;以及 根据该所感测之参数,将经由该串联组合所施加之 该适当电流控制至适当値,因此保护该控制元件之 该第二隧道装置防止其熔合, 该保护步骤藉由防止跨接该控制元件之该第二隧 道接合装置之电压超过该第二特征熔合临界电压 而实施。 8.一种将具有多个记忆体储存元件之记忆体程式 设计之方法,此记忆体之各记忆体储存元件包括具 有第一特征熔合临界电压之第一隧道接合装置,其 特征为包括以下步骤: (a)将各该记忆体储存元件与控制元件串联,此控制 元件包括具有第二特征熔合临界电压之第二隧道 接合装置,因此形成串联组合, (b)藉由将适当电流施加于该串联组合,而选择性地 熔合各经选择记忆体储存元件之该第一隧道接合 装置;而同时 (c)防止跨接各经选择记忆体储存元件之该控制元 件之该第二隧道接合装置之电压超过第二特征熔 合临界电压,因此保护该经选择记忆体储存元件之 该控制元件之该第二隧道接合装置防止其融合;以 及 (d)对于各经选择记忆体储存元件重覆步骤(b)与(c) 。 9.如申请专利范围第8项之方法,更包括以下步骤: 提供与该串联组合并联之参考元件,该参考元件包 括隧道接合装置具有第三特征熔合临界电压,其小 于或实质上等于该控制元件之该隧道接合装置之 该第二特征熔合临界电压;以及 将感测放大器连接至该参考元件,感测流经该参考 元件之适当电压与电流之至少一参数,以及根据该 所感测之参数控制该适当电流。 10.一种记忆体结构,其特征为包括: 记忆体储存元件其被设计藉由来自电流源之电流 而控制成预先设定之状态; 包括隧道接合装置之控制元件,该控制元件电性耦 合连接至该记忆体储存元件,且被设计以控制该记 忆体储存元件之状态;以及 参考元件,该参考元件被设计作为用于该控制元件 之参考,在当藉由施加来自该电流源之电流以选择 性地控制该记忆体储存之状态时,保护该控制元件 防止熔合。 图式简单说明: 第1图为交叉点记忆体阵列实施例之概要图式,其 中使用所揭示之记忆胞结构。 第2图为记忆胞阵列实施例之概要方块图,其包括 记忆体储存元件与用于记忆体储存元件之控制元 件。 第3图为侧视横截面图概要显示根据本发明记忆体 结构之实施例,其包括记忆体储存元件与控制元件 。 第4图为第3图实施例之俯视图。 第5图为横截面图其概要说明根据本发明所制记忆 体结构之另一实施例。 第6图为横截面图其概要说明第5图记忆体结构实 施例之另一图示。 第7图为概要图其说明根据本发明所制记忆体结构 之使用。 第8图显示根据本发明所制记忆体结构元件之电阻 对电压之图表。 第9图为电路图概要说明根据本发明所制记忆体结 构之使用。 第10图为电路图概要说明根据本发明所制记忆体 结构中元件之配置。 第11图为电路图概要说明根据本发明所制记忆体 结构中元件之另外配置。 第12A至12C图为图表说明根据本发明所制隧道接合 装置之电压对时间之轮廓。 |
