| 主权项 |
1.一种平面显示元件,其具备:第一基板,其系具有: 数个切换元件,其系配置于交叉配置在绝缘基板上 之信号线及扫描线的交点近旁;像素电极,其系沿 着前述信号线及前述扫描线配置成矩阵状,经由前 述切换元件连接于前述信号线;及辅助电容线,其 系经由与前述扫描线一体地形成之绝缘层,形成前 述像素电极与辅助电容;相对电极,其系与前述第 一基板隔开特定间隔而相对配置;及光调制层,其 系密封于前述第一基板及前述相对电极的间隙内; 沿着前述信号线,于前述像素电极之每两个像素上 ,前述像素电极之电位极性不同,且包含: 电场遮蔽配线,其系设置于连接于前段之前述扫描 线之前段行的前述像素电极与连接于次段之前述 扫描线之次行的前述像素电极之间。 2.如申请专利范围第1项之平面显示元件, 其中前述电场遮蔽配线系与前述扫描线成一体。 3.如申请专利范围第1项之平面显示元件, 其中前述电场遮蔽配线系配置于前述绝缘基板与 前述像素电极之间。 4.如申请专利范围第2项之平面显示元件, 其中前述电场遮蔽配线系配置于前述绝缘基板与 前述像素电极之间。 5.如申请专利范围第1项之平面显示元件, 其中前述扫描线包含经由细缝一体所形成之前述 辅助电容线与前述电场遮蔽配线,前述辅助电容线 与形成辅助电容之前述像素电极之一端部位于前 述细缝区域内。 6.如申请专利范围第1项之平面显示元件, 其中前述光调制层系液晶层。 7.如申请专利范围第2项之平面显示元件, 其中前述光调制层系液晶层。 8.如申请专利范围第3项之平面显示元件, 其中前述光调制层系液晶层。 9.如申请专利范围第4项之平面显示元件, 其中前述光调制层系液晶层。 10.一种平面显示元件,其具备:第一基板,其系具有: 数个切换元件,其系配置于交叉配置在绝缘基板上 之信号线及扫描线的交点近旁;像素电极,其系沿 着前述信号线及前述扫描线配置成矩阵状,经由前 述切换元件连接于前述信号线;及辅助电容线,其 系经由与前述扫描线一体地形成之绝缘层,形成前 述像素电极与辅助电容;相对电极,其系与前述第 一基板隔开特定间隔而相对配置;及光调制层,其 系密封于前述第一基板及前述相对电极的间隙内; 沿着前述信号线,于前述像素电极之每两个像素上 ,前述像素电极之电位极性不同,且包含: 电场遮蔽用配线,其系尽量缩小因像素电极之像素 电位随信号线之信号线电位的极性反转而改变,而 于像素电极之间隙内产生之像素电极间寄生电容 的大小,防止前段之像素电极的像素电位上昇。 11.如申请专利范围第10项之平面显示元件, 其中前述电场遮蔽用配线系设于平行邻接于信号 线之像素电极的间隙内。 12.一种平面显示元件,其包含: 第一基板,其系具有: 数个切换元件,其系配置于交叉配置在绝缘基板上 之信号线及扫描线的交点近旁; 像素电极,其系沿着前述信号线及前述扫描线配置 成矩阵状,经由前述切换元件连接于前述信号线; 及 辅助电容线,其系经由与前述扫描线一体地形成之 绝缘层,形成前述像素电极与辅助电容; 相对电极,其系与前述第一基板隔开特定间隔而相 对配置; 光调制层,其系密封于前述第一基板及前述相对电 极的间隙内;及 电场遮蔽用配线,其系尽量缩小因像素电极之像素 电位随信号线之信号线电位的极性反转而改变,而 于像素电极之间隙内产生之像素电极间寄生电容 的大小,防止前段之像素电极的像素电位上昇, 其中沿着前述信号线,于前述像素电极之每两个像 素上,前述像素电极之电位极性不同,前述电场遮 蔽用配线系设于平行邻接于信号线之像素电极的 间隙内。 图式简单说明: 图1系显示本发明之实施形态所适用之阵列基板之 一部分的概略平面图; 图2系与分别以图1之A-B线及C-D线切断图1所示之阵 列基板之处相当之液晶显示元件的概略剖面图; 图3系显示施加于图1及2所示之阵列基板之像素之 影像信号极性的概略图; 图4系显示图1及2所示之阵列基板之像素之等价电 路的概略图; 图5A至5E系显示在图1及2所示之阵列基板之像素上 使中间灰阶光栅显示时的施加电压图,图5A系对第n 条扫描线负极性写入,图5B系对第n+1条扫描线正极 性写入,图5C系对第n+2条扫描线正极性写入,图5D系 对第n+3条扫描线负极性写入,及图5E系对第n+4条扫 描线负极性写入时的施加电压图; 图6系先前之液晶显示元件之像素的等价电路图; 图7A至7E系显示在图6所示之已知之液晶显示元件 上使中间灰阶光栅显示时的施加电压图,图7A系对 第n条扫描线负极性写入,图7B系对第n+1条扫描线正 极性写入,图7C系对第n+2条扫描线正极性写入,图7D 系对第n+3条扫描线负极性写入,及图7E系对第n+4条 扫描线负极性写入时的施加电压图;及 图8系显示图6所示之先前液晶显示元件之阵列基 板一部分的概略平面图。 |
