| 主权项 |
1.一种信号接收系统,包含: 一接收信号天线; 一静电放电保护元件; 一信号放大器;以及 一信号传输线,电连接于所述接收信号天线与所述 信号放大器间; 其中,所述静电放电保护元件电连接于所述接收信 号天线与所述信号传输线间。 2.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中所述信号接收系统更包含一天线基座,其与所述 接收信号天线连接。 3.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中所述信号接收系统更包含一增益器。 4.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中所述静电放电保护元件为二极体。 5.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中所述静电放电保护元件为电阻器。 6.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中所述信号传输线为同轴电缆。 7.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中所述的信号接收系统为一无线通讯信号接收系 统。 8.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统,其 中该信号放大器为一低杂讯放大器。 9.根据申请专利范围第8项所述的信号接收系统,其 中该低杂讯放大器为双极低杂讯放大器、互补金 属氧化半导体(CMOS)低杂讯放大器或互补金属氧化 半导体差动低杂讯放大器的其一。 10.根据申请专利范围第1项所述的信号接收系统, 其中所述静电放电保护元件与地面电连接。 11.一种信号接收系统,包含: 一天线装置,具有一静电放电保护元件; 一接收装置;以及 一传输线,电连接于所述静电放电保护元件与所述 接收装置间。 12.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述接收装置包含一信号放大器。 13.根据申请专利范围第12项所述的信号接收系统, 其中该信号放大器为一低杂讯放大器。 14.根据申请专利范围第13项所述的信号接收系统, 其中该低杂讯放大器为双极低杂讯放大器、互补 金属氧化半导体(CMOS)低杂讯放大器或互补金属氧 化半导体差动低杂讯放大器的其一。 15.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述天线装置更包含一天线基座。 16.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述静电放电保护元件为二极体。 17.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述静电放电保护元件为电阻器。 18.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述传输线为同轴电缆。 19.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述信号接收系统为一无线通讯信号接收系 统。 20.根据申请专利范围第11项所述的信号接收系统, 其中所述静电放电保护元件与地面电连接。 21.一种天线装置,包含: 一信号接收天线; 一静电放电保护元件,与所述信号接收天线电连接 ;以及 一基座,承载所述信号接收天线。 22.根据申请专利范围第21项所述的天线装置,其中 所述天线装置为一无线通讯信号的接收天线。 23.根据申请专利范围第21项所述的天线装置,其中 所述静电放电保护元件为二极体。 24.根据申请专利范围第21项所述的天线装置,其中 所述静电放电保护元件为电阻器。 25.根据申请专利范围第21项所述的天线装置,其中 所述天线装置为一无线通讯信号的接收天线。 图式简单说明: 第一图,为一个习用的接收系统示意图。 第二图,为另一个习用的接收系统示意图。 第三图,为本案的信号接收系统的一较佳实施例示 意图。 |
