| 主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,包括: 于一基底上形成多数个闸极结构; 于各该闸极结构侧边之该基底中形成对应之一源 极区与一汲极区; 于该基底上形成一自行对准金属矽化物阻挡层( Salicide Block Layer,SAB Layer),覆盖该些闸极结构与裸 露的该基底表面; 进行一回火(Anneal)制程,且在进行该回火制程时,该 自行对准金属矽化物阻挡层会产生张应力(Tension Stress),而使得位于该些闸极结构下方之该基底受 到张应力; 移除部分该自行对准金属矽化物阻挡层,而裸露出 一部分的该些闸极结构与部分的该基底表面;以及 进行一自行对准金属矽化物(Salicide)制程。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该自行对准金属矽化物阻挡层的材质包 括受热后会产生张应力(Tension Stress)的一材料。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的制造 方法,其中该材料包括氧化矽或氮化矽。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该自行对准金属矽化物阻挡层的厚度介 于500~5000埃。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中于各该闸极结构侧边之该基底形成对应 之该源极区与该汲极区的方法包括进行一离子植 入步骤。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该回火制程包括快速热回火制程(RTP)。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该自行对准金属矽化物制程包括: 于该基底上形成一金属层,覆盖保留下来之该自行 对准金属矽化物阻挡层与裸露之该些闸极结构及 该基底表面; 进行一热制程,以使部分的该金属层反应成一金属 矽化物层;以及 移除未反应之该金属层。 8.一种用于调整元件通道区之晶格距离的方法,包 括: 提供一基底,该基底上已形成有一元件,且该元件 至少包括一闸极结构与一通道区; 于该基底上形成一晶格调整层,覆盖该元件;以及 进行一热制程,在进行该热制程时,该晶格调整层 会产生张应力,而使得该通道区受到张应力而改变 其晶格距离。 9.如申请专利范围第8项所述之用于调整元件通道 区之晶格距离的方法,其中该晶格调整层的材质包 括受热后会产生张应力的一材料。 10.如申请专利范围第9项所述之用于调整元件通道 区之晶格距离的方法,其中该材料包括氧化矽或氮 化矽。 11.如申请专利范围第8项所述之用于调整元件通道 区之晶格距离的方法,其中该晶格调整层之膜层的 厚度介于500~5000埃。 12.如申请专利范围第8项所述之用于调整元件通道 区之晶格距离的方法,其中该热制程包括快速热回 火制程。 图式简单说明: 图1A至图1E是习知一种半导体元件之制造流程剖面 示意图。 图2A至图2F是依照本发明之一较佳实施例的一种半 导体元件之制造流程剖面示意图。 |
