| 主权项 |
1.一种胚片的载片,该载片具有一胚片形成面,一胚 片系要形成于该胚片形成面上,包括: 金属箔;以及 一树脂膜,堆叠于位在该胚片形成面之一侧上的该 金属箔之一第一表面上且具有一小于该金属箔之 厚度。 2.如申请专利范围第1项之胚片的载片,更包括一拆 除层,以便该金属箔、该树脂膜及该拆除层系依此 次序来排列。 3.如申请专利范围第1项之胚片的载片,更包括一低 摩擦片,具有一低于该金属箔之摩擦系数,该低摩 擦片系堆叠于位在该金属箔之第一表面的相对侧 上之该金属箔的一第二表面上。 4.一种胚片之载片,该载片具有一胚片形成面,一胚 片系要形成于该胚片形成面上,包括: 金属箔;以及 一低摩擦片,堆叠于位在该胚片形成面之相对侧上 的该金属箔之一表面上且具有一低于该金属箔之 摩擦系数。 5.一种布线基板制法,使用一胚片的载片,该载片具 有一胚片形成面,一胚片系要形成于该胚片形成面 上,该胚片之载片包括金属箔及一堆叠于位在该胚 片形成面之一侧上的该金属箔之一第一表面上及 具有一小于该金属箔之厚度的树脂膜,该程序依序 包括: 形成一胚片于该胚片形成面上之步骤; 藉由使用一雷射光束朝一厚度方向照射该胚片,以 形成一贯穿该胚片之穿孔的步骤; 藉由使用一导电材料来填充该穿孔,以形成一通孔 导电体之步骤;以及 自该胚片移除该胚片之载片的步骤。 6.如申请专利范围第5项之布线基板制法,其中在形 成该穿孔于该胚片之步骤中,藉由一雷射光束形成 一底孔于该树脂膜中。 7.如申请专利范围第6项之布线基板制法,其中该底 孔具有一30微米或更小之深度。 8.如申请专利范围第6项之布线基板制法,其中在该 通孔导电体形成步骤中,该导电材料系填充于该穿 孔及该底孔中。 9.如申请专利范围第5项之布线基板制法,其中在移 除该胚片之载片的步骤后,自该胚片之一表面突出 的该通孔导电体之突出距离系30微米或更小。 10.一种布线基板,依序包括:一具有一上通孔导电 体之上绝缘层;一上布线层;一中间绝缘层;一下布 线层;以及一具有一下通孔导电体之下绝缘层,其 中该下通孔导电体大致上系沿着一轴向而与该上 通孔导电体同中心, 其中该中间绝缘层在一位置上之厚度t1,在该位置 上,该中间绝缘层系夹于该上及下通孔导电体之间 以及该上及下布线层之间;与该中间绝缘层在另一 位置上之厚度t2,在该另一位置上,该等通孔导电体 并非位于该上及下绝缘层中,以及在该另一位置上 ,该中间绝缘层系夹于该等布线层之间,之一比率t1 /t2系设定成不小于0.72,但小于1.0。 图式简单说明: 第1图系显示本发明之一第一载片的剖面图; 第2图系显示上述载片之应用模式的剖面图; 图3系显示在使用第1图之载片的本发明之一布线 基板制造程序中一步骤之示意图; 第4图系显示第3图后之一步骤的示意图; 第5图系显示第4图后之一步骤的示意图; 第6图系显示第5图后之一步骤的示意图; 第7图系显示第6图后之一步骤的示意图; 第8图系显示第7图后之一步骤的示意图; 第9图系显示第8图后之一步骤的示意图; 第10图系显示第9图后之一步骤的示意图; 第11图系显示第10图后之一步骤的示意图; 第12图系显示第11图后之一步骤的示意图; 第13图系显示第12图后之一步骤的示意图; 第14图系显示藉由上述制造程序所获得之本发明 的布线基板之示意剖面图; 第15图系显示另一模式之载片的剖面图; 第16图系显示在使用上述载片的本发明之另一布 线基板制造程序中一步骤之示意图; 第17图系显示第16图后之一步骤的示意图; 第18图系显示第17图后之一步骤的示意图; 第19图系显示第18图后之一步骤的示意图; 第20图系显示在本发明中另一模式之布线基板的 示意剖面图; 第21图系在第20图中由单虚线所包围之一部分X的 放大图; 第22图系显示在范例及比较的布线基板中上述比 率之分布的图示; 第23图系在不同范例及比较之布线基板上的相似 图示; 第24图系在其它范例及比较之布线基板上的相似 图示; 第25图系显示使用本发明之载片的一胚片制造程 序的示意图;以及 第26图系在第25图中由单虚线所包围之一部分Y的 放大图。 |
