光阻之剥除剂组合物

摘要

本发明系关于光阻之TFT-LCD高效能剥除剂组合物，更特定而言本发明系关于光阻之剥除剂组合物，该组合物至少包含20至60重量百分比之单乙醇胺(monoethanolamine)、15至50重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺(N,N-dimethylacetamide)、15至50重量百分比之卡必醇(carbitol)、及0.1至10重量百分比之没食子酸(gallic acid)。本发明系也提供至少包含20至60重量百分比之单乙醇胺、15至50重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺、15至50重量百分比之卡必醇之光阻之剥除剂组合物。本发明光阻之剥除剂组合物当实施于TFT-LCD制作程序时，系有效地缩减剥除时间。其系也不因良好剥除能力而遗留杂质颗粒。并且，因硬烘烤与去灰制程步骤可以省略，系简化闸制程线因而降低成本。此外，当其施于以银(Ag)作为反射/半反半射层之一制程时，其提供纯银层之剥除能力与抗腐蚀性。

主权项

1.一种光阻之剥除剂组合物,该组合物至少包含: (a)20至60重量百分比之单乙醇胺(monoethanolamine); (b)15至50重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺(N,N- dimethylacetamide); (c)15至50重量百分比之卡必醇(carbitol);及 (d)0.1至10重量百分比之没食子酸(gallic acid)。 2.如申请专利范围第1项所述之光阻之剥除剂组合 物,该组合物至少包含: (a)35至45重量百分比之单乙醇胺; (b)25至35重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺; (c)25至35重量百分比之卡必醇;及 (d)1.5至2.5重量百分比之没食子酸。 3.一种制备一半导体装置之方法,该方法至少包含 使用一剥除剂组合物之一光阻剥除步骤,该剥除剂 组合物至少包含20至60重量百分比之单乙醇胺、15 至50重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺、15至50重量百 分比之卡必醇、及0.1至10重量百分比之没食子酸 。 4.如申请专利范围第3项所述制备一半导体装置之 方法,其中上述之半导体装置系含有一银反射层。 5.如申请专利范围第3项所述制备一半导体装置之 方法,其中该方法至少包含使用ArF、KrF、DUV电子束 (E-beam)或X-ray之一曝光步骤。 6.一种光阻之剥除剂组合物,该组合物至少包含: (a)20至60重量百分比之单乙醇胺; (b)15至50重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺;及 (c)15至50重量百分比之卡必醇(carbitol)。 7.如申请专利范围第6项所述之光阻之剥除剂组合 物,该组合物至少包含: (a)35至45重量百分比之单乙醇胺; (b)25至35重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺;及 (c)25至35重量百分比之卡必醇。 8.一种制备一半导体装置之方法,该方法至少包含 使用一剥除剂组合物之一光阻剥除步骤,该剥除剂 组合物至少包含20至60重量百分比之单乙醇胺、15 至50重量百分比之N,N-二甲基乙醯胺、及15至50重量 百分比之卡必醇。 9.如申请专利范围第8项所述制备一半导体装置之 方法,其中上述之半导体装置系含有一银反射层。 10.如申请专利范围第8项所述制备一半导体装置之 方法,其中该方法至少包含使用ArF、KrF、DUV电子束 或X-ray之一曝光步骤。 图式简单说明: 第1a图显示本发明用于光阻之剥除剂组合物,其施 于一玻璃基板之左上部份之一纯银反射层之电子 显微镜照片(300)。 第1b图显示本发明用于光阻之剥除剂组合物,其施 于一玻璃基板之左下部份之一纯银反射层之电子 显微镜照片(300)。 第1c图显示本发明用于光阻之剥除剂组合物,其施 于一玻璃基板之中间部份之一纯银反射层之电子 显微镜照片(300)。 第1d图显示本发明用于光阻之剥除剂组合物,其施 于一玻璃基板之右上部份之一纯银反射层之电子 显微镜照片(300)。 第1e图显示本发明用于光阻之剥除剂组合物,其施 于一玻璃基板之右下部份之一纯银反射层之电子 显微镜照片(300)。 第2图显示使用本发明用于光阻之剥除剂组合物之 一15.0〞PVA DVC(数置录影机)之EDS(I-V)特性。 第3图显示使用本发明用于光阻之剥除剂组合物之 一3.5〞反射型DVC(数位录影机)之EDS(I-V)特性。