| 主权项 |
1.一种雷射模组,其包括使350~450nm波长范围之雷射 光出射的半导体雷射,及在内部充满固体有机物产 生的有机气体成分之浓度小于1000ppm的密封气氛之 密封空间,该空间内含有将该半导体雷射气体密封 的气体密封构件, 在该气体密封构件内至少一个光学零件与固定其 的固定构件之间插入含有具环氧基之脂环族环氧 化合物、具氧杂环丁基之化合物、及触媒量之 盐光反应起始剂的黏合性组成物后,藉由活性能量 线硬化以使光学零件固定于该固定构件。 2.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中气体密封 前密封体积中固体有机物的含量为1g/ml以下。 3.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中自固体有 机物产生的有机气体成分系分子量为70以上或沸 点为70℃以上之有机气体成分。 4.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中自固体有 机物产生的有机气体成分至少含有一种矽原子、 磷原子、及硫原子之化合物。 5.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中密封气氛 系含有氧浓度为1ppm~100ppm以下的惰性气体。 6.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中黏合性组 成物含有矽烷偶合剂。 7.如申请专利范围第1至6项中任一项之雷射模组, 其中黏合性组成物含有具平均直烃为0.1m~1.0m 之球状二氧化矽粒子。 8.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中固定构件 为由金属制构件所成,该光学零件为由无机透明构 件所成。 9.如申请专利范围第1项之雷射模组,其中具氧杂环 丁基之化合物为下述通式(1)所示者, 【化1】 其中,R1表示甲基或乙基,R2系表示碳数6~12之烃基。 10.一种雷射模组,其包括使350~ 450nm波长范围出射 的数个半导体雷射、一条光纤、及各由该数个半 导体雷射出射的雷射光束集光键结于光纤之集光 光学系统的合波雷射,与 具备在内部以由固体有机物产生的有机气体成分 的浓度小于1000ppm之密封气氛充满的密封空间,于 该空间内使半导体雷射、光纤之结合侧部位、及 集光光学系统气体密封的气体密封构件, 且该气体密封构件内至少一个光学零件与固定该 物的固定构件间插入含有具环氧基之脂环族环氧 化合物、具氧杂环丁基之化合物、及触媒量之 盐光反应起始剂的黏合性组成物后,藉由活性能量 线硬化,使该光学零件固定于固定构件。 11.如申请专利范围第10项之雷射模组,其中气体密 封前密封体积中固体有机物之含量为1g/ml以下。 12.前如申请专利范围第10项之雷射模组,其中由固 体有机物产生的有机气体成分系为分子量为70以 上或沸点为70℃以上之有机气体成分。 13.如申请专利范围第10项之雷射模组,其中由固体 有机物产生的有机气体成分至少含有一种矽原子 、磷原子、及硫原子之化合物。 14.如申请专利范围第10项之雷射模组,其中密封气 氛系为含有氧浓度为1ppm~100ppm之惰性气体。 15.如申请专利范围第10项之雷射模组,其中黏合性 组成物含有矽烷偶合剂。 16.如申请专利范围第10或15项之雷射模组,其中黏 合性组成物含有平均直烃为0.1m~1.0m之球状二 氧化矽粒子。 17.如申请专利范围第10项之雷射模组,其中固定构 件由金属制构件所成,光学零件由无机透明构件所 成。 18.如申请专利范围第10项之雷射模组,其中具氧杂 环丁基之化合物为下述通式(1)所示者, 【化1】 其中,R1系表示甲基或乙基,R2系表示碳数6~12之烃基 。 19.一种雷射模组之制法,其包括使350~450nm波长范围 之雷射光出射的半导体雷射收纳于气体密封构件 内部之密封空间内,同时密封体积中固体有机物之 含量为1g/ml以下, 且该气体密封构件内至少一个光学零件与固定该 物的固定构件间插入含有具环氧基之脂环族环氧 化合物、具氧杂环丁基之化合物、及触媒量之 盐光反应起始剂的黏合性组成物后,藉由活性能量 线硬化,使该光学零件固定于固定构件,并使该空 间脱气处理直至由固体有机物产生的有机气体成 分之浓度小于1000ppm,于该脱气处理后在该空间内 将半导体雷射以气体密封处理。 20.如申请专利范围第19项之雷射模组之制法,其中 黏合性组成物在室温之黏度为10mPas~1,000mPas, 与被黏物之接触角为40度以下。 图式简单说明: 第1图系为本发明第1实施形态中雷射模组的要件 之略构成图。 第2图系为上述雷射模组之平面图。 第3图系为上述雷射模组之侧面图。 第4图系为上述雷射模组之部分正面图。 第5图系为脱气成分及杂质成分之分子量分布图。 第6图系为脱气成分及杂质成分之沸点分布图。 第7图系为脱气成分浓度及杂质成分与模组劣化速 度之关系图。 |
