| 主权项 |
1.一种主动矩阵基材,其系包含有: 画素电极,设于由配置成栅状之复数个扫描线及信 号线所形成的每一画素上; 开关元件,位于上述扫描线与信号线之交叉部附近 且连接在扫描线、信号线及画素电极之各个上; 绝缘膜,其覆盖上述开关元件之上层; 层间绝缘膜,其设于上述画素电极与绝缘膜之间; 储存电容电极,为了在与上述画素电极之间形成储 存电容而设;以及 储存电容共用配线,其连接于上述储存电容电极, 配置成与信号线平行,而 上述信号线及储存电容电极系藉由使相同的电极 层图案化而形成; 于上述层间绝缘膜上所设之接触孔,隔着上述绝缘 膜而相对向的配置上述画素电极及储存电容电极; 且 上述画素电极系经由贯通上述层间绝缘膜及绝缘 膜而形成的接触孔连接于上述开关元件; 上述储存电容共用配线,系以细于储存电容电极的 宽度层合在储存电容电极上。 2.一种主动矩阵基材,其系包含有: 画素电极,设于由配置成栅状之复数个扫描线及信 号线所形成的每一画素区域上; 开关元件,连接在上述扫描线、信号线及画素电极 之各个上; 储存电容电极,供于储存电容之形成用;以及 储存电容共用配线,连接于该储存电容电极上,且 配置成与信号线平行,而 上述储存电容,系形成于上述画素电极与储存电容 电极之间,且上述扫描线与储存电容电极,系藉由 使相同的电极层图案化而形成;且 更包含有用以覆盖上述开关元件之闸极的闸极绝 缘膜,介以该闸极绝缘膜而相对配置有上述画素电 极与储存电容电极; 上述信号线与画素电极,系更藉由使相同的导电层 图案化而形成; 上述信号线、画素电极及储存电容共用配线,系更 藉由使相同的导电层图案化而形成。 3.一种主动矩阵基材,其系包含有: 画素电极,设于由配置成栅状之复数个扫描线及信 号线所形成的每一画素区域上; 开关元件,连接在上述扫描线、信号线及画素电极 之各个上; 储存电容电极,为了在与上述画素电极之间形成储 存电容而设;以及 储存电容共用配线,连接于该储存电容电极上,且 配置成与信号线平行,而 上述扫描线与画素电极,系藉由使相同的电极层图 案化而形成。 4.如申请专利范围第3项之主动矩阵基材,其中上述 信号线与储存电容电极,系更藉由使相同的导电层 图案化而形成。 5.如申请专利范围第3项之主动矩阵基材,其中上述 信号线、储存电容电极及储存电容共用配线,系更 藉由使相同的导电层图案化而形成。 6.如申请专利范围第3项之主动矩阵基材,其中上述 储存电容共用配线,系以通过由上述信号线与扫描 线所包围之画素形成区域之中央附近的方式,形成 与信号线平行。 7.如申请专利范围第4项主动矩阵基材,其中上述导 电层,系为了被覆画素电极之画素开口部而图案化 。 8.一种主动矩阵基材,其系包含有: 第一画素电极,设于由配置成栅状之复数个扫描线 及信号线所形成的每一画素区域上; 开关元件,连接在上述扫描线、信号线及第一画素 电极之各个上; 第二画素电极,连接在上述第一画素电极上; 储存电容电极,为了在与上述第二画素电极之间形 成储存电容而设;以及 储存电容共用配线,连接于该储存电容电极上,且 配置成与信号线平行,而 上述扫描线与第二画素电极,系藉由使相同的电极 层图案化而形成;且 上述信号线、第一画素电极及储存电容电极,系藉 由使相同的导电层图案化而形成; 更包含有用以连接上述第一画素电极与开关元件 的连接电极,上述信号线、连接电极及储存电容电 极,系藉由使相同的导电层图案化而形成; 更包含有用以被覆上述开关元件的保护膜,上述第 一画素电极与储存电容电极,系介以上述保护膜而 形成储存电容。 9.如申请专利范围第8项之主动矩阵基材,其中更具 备有将上述第一画素电极配置在最上层的层间绝 缘膜。 10.如申请专利范围第9项之主动矩阵基材,其中用 以将上述第一画素电极电连接开关元件的接触孔, 系贯穿上述层间绝缘膜及保护膜而形成。 11.如申请专利范围第2项之主动矩阵基材,其中对 上述扫描线施予阳极氧化。 12.如申请专利范围第3项之主动矩阵基材,其中对 上述扫描线施予阳极氧化。 13.如申请专利范围第8项之主动矩阵基材,其中对 上述扫描线施予阳极氧化。 14.一种主动矩阵基材之制造方法,其所制造之主动 矩阵基材系包含有:设于由配置成栅状之复数个扫 描线及信号线所形成之每一画素上的画素电极;位 于上述扫描线与信号线之交叉部附近且连接在扫 描线、信号线及画素电极之各个上的开关元件;为 了在与上述画素电极之间形成储存电容而设的储 存电容电极;以及连接于上述储存电容电极并配置 成与信号线平行的储存电容共用配线,而上述信号 线、储存电容电极,系藉由使相同的电极层图案化 而形成者, 该制造方法系包含下述步骤: 于基板上成膜形成电极层,将该电极层予以图案化 ,以形成扫瞄线的步骤; 于上述扫瞄线上层合闸绝缘膜的步骤; 于上述闸绝缘膜上,形成上述信号线、开关元件、 储存电容电极、储存电容共用配线后,成膜形成绝 缘膜的步骤; 于上述绝缘膜上成膜形成层间绝缘膜的步骤; 将上述储存电容电极之上部所成膜之上述层间绝 缘膜的一部分予以蚀刻,形成露出上述绝缘膜之接 触孔的步骤; 于形成有上述接触孔之层间绝缘膜上,形成上述画 素电极的步骤。 15.一种主动矩阵基材之制造方法,其所制造之主动 矩阵基材系具备有:设于由配置成栅状之复数个扫 描线及信号线所形成之每一画素区域上的画素电 极;连接在上述扫描线、信号线及画素电极之各个 上的开关元件;为了在与上述画素电极之间形成储 存电容而设的储存电容电极;以及连接在该储存电 容电极上且配置成与信号线平行的储存电容共用 配线者, 该制造方法包含有: 将电极层成膜于基材上且藉由该电极层之图案化 而形成扫描线与画素电极的步骤; 层合闸极绝缘膜的步骤; 在形成上述信号线、开关元件、储存电容电极、 储存电容共用配线之后,将保护膜予以成膜的步骤 ;以及 同时使上述闸极绝缘膜及保护膜同时图案化,以形 成画素电极之开口部的步骤。 16.如申请专利范围第15项之主动矩阵基材之制造 方法,其中更包含有: 在上述闸极绝缘膜上层合透明导电层的步骤;以及 使上述透明导电层图案化以残留用以被覆上述画 素电极之开口部的透明导电层,且形成信号线及储 存电容电极的步骤。 17.如申请专利范围第1项之主动矩阵基材,其系用 于包含有下列构件之影像感测器; 转换部,将已入射之电磁辐射线转换成电荷;以及 偏向电压施加机构,用以形成已储存该电荷的储存 电容。 18.如申请专利范围第2项之主动矩阵基材,其系用 于包含有下列构件之影像感测器; 转换部,将已入射之电磁辐射线转换成电荷;以及 偏向电压施加机构,用以形成已储存该电荷的储存 电容。 图式简单说明: 图1系显示本发明之实施形态之主动矩阵基材之构 成的概略平面图。 图2系图1所示之主动矩阵基材之A-A"线箭视截面图 。 图3(a)至图3(h)系显示图1所示之主动矩阵基材之制 程的A-A"线箭视截面图。 图4系显示本发明之另一实施形态之主动矩阵基材 的截面图。 图5系显示构成本发明之更另一实施形态之X射线 感测器之主要部分之主动矩阵基材的概略平面图 。 图6系图5所示之X射线感测器之B-B'线箭视截面图。 图7系显示构成本发明之更另一实施形态之X射线 感测器之主要部分之主动矩阵基材的概略平面图 。 图8系图7所示之X射线感测器之D-D'线箭视成面图。 图9系显示习知之主动矩阵基材之构成的概略平面 图。 图10系图9所示之习知主动矩阵基材之F-F'线箭视截 面图。 图11系图9所示之习知主动矩阵基材之G-G'线箭视截 面图。 图12(a)至图12(h)系显示图9所示之习知主动矩阵基 材之制程的F-F'线箭视截面图。 图13(a)至图13(h)系显示图9所示之习知主动矩阵基 材之制程的G-G'线箭视截面图。 图14系显示使用于习知之X射线感测器中之主动矩 阵基材之构成的概略平面图。 图15系图14所示之习知主动矩阵基材之H-H'线箭视 截面图。 图16系显示本发明之更另一实施形态之主动矩阵 基材之构成的概略平面图。 图17系图16所示之主动矩阵基材之I-I'线箭视截面 图。 图18(a)至图18(g)系显示图16所示之主动矩阵基材之 制程的I-I'线箭视截面图。 图19系显示本发明之更另一实施形态之主动矩阵 基材之构成的概略平面图。 图20系图19所示之主动矩阵基材之J-J'线箭视截面 图。 图21系显示本发明之更另一实施形态之主动矩阵 基材之构成的概略平面图。 图22系显示图21所示之主动矩阵基材之变形例的概 略平面图。 图23系图22所示之主动矩阵基材之K-K'线箭视截面 图。 图24系显示本发明之更另一实施形态之主动矩阵 基材之构成的概略平面图。 图25系图24所示之主动矩阵基材之L-L'线箭视截面 图。 图26系显示本发明之更另一实施形态之主动矩阵 基材之构成的概略平面图。 图27系图26所示之主动矩阵基材之M-M'线箭视截面 图。 图28系显示图26所示之主动矩阵基材之接触孔附近 之变形例的概略平面图。 图29系图28所示之主动矩阵基材之N-N'线箭视截面 图。 图30系显示本发明之更另一实施形态之主动矩阵 基材之构成的概略平面图。 图31系图30所示之主动矩阵基材之O-O'线箭视截面 图。 |
