| 主权项 |
1.一种具有高发光效率与高抗静电能力之氮化镓 系发光二极体结构,其由下而上包含有一基板、一 氮化物缓冲层、一n型矽掺杂氮化镓层、一多重量 子井主动发光层、一p型镁掺杂氮化镓层以及一位 障缓冲接触层,其中,该多重量子井主动发光层包 括有数氮化镓系能障层组、数井层及一氮化镓系 阻障层,位于最下层之氮化镓系能障层组由下而上 包含一氮化镓系能障层及一氮化镓系半导体层,其 余氮化镓系能障层组由下而上包含有一氮化镓系 半导体层、一氮化镓系能障层及一氮化镓系半导 体层,该些井层包含一氮化铟镓层,该氮化镓系能 障层系一沉积温度高于氮化铟镓所成形之氮化镓 系半导体层,该氮化镓系半导体层系一具有缓冲氮 化镓系能障层与氮化铟镓层间沉积环境所成形之 氮化镓系半导体层,该井层上下邻接氮化镓系能障 层组,该氮化镓系阻障层位于该多重量子井主动发 光层之最上层位置。 2.如申请专利范围第1项所述之具有高发光效率与 高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中该 基板为蓝宝石基板。 3.如申请专利范围第1或2项所述之具有高发光效率 与高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中 设于该氮化物缓冲层与该多重量子井主动发光层 间之n型氮化物半导体叠层包含一n型矽掺杂氮化 镓层,以及一n型矽掺杂氮化镓系披覆层。 4.如申请专利范围第1或2项所述之具有高发光效率 与高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中 设于该多重量子井主动发光层间与位障缓冲接触 层间之p型氮化物半导体叠层包含一p型镁掺杂氮 化镓系披覆层以及一p型镁掺杂氮化镓层。 5.如申请专利范围第3项所述之具有高发光效率与 高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中设 于该多重量子井主动发光层间与位障缓冲接触层 间之p型氮化物半导体叠层包含一p型镁掺杂氮化 镓系披覆层以及一p型镁掺杂氮化镓层。 6.如申请专利范围第1项所述之具有高发光效率与 高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中该 氮化镓系发光二极体尚包含一透明氧化导电层设 于该位障缓冲接触层上,一n型电极设于n型氮化物 半导体叠层上相对于多重量子井主动发层外侧,以 及一p型电极设于透明氧化导电层上。 7.如申请专利范围第3项所述之具有高发光效率与 高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中该 氮化镓系发光二极体尚包含一透明氧化导电层设 于该位障缓冲接触层上,一n型电极设于该n型矽掺 杂氮化镓层上位于n型矽掺杂氮化镓系披覆层外侧 ,以及一p型电极位于透明氧化导电层上。 8.如申请专利范围第1项所述之具有高发光效率与 高抗静电能力之氮化镓系发光二极体结构,其中该 氮化镓系半导体层系沉积温度介于500℃~900℃,沉 积压力介于50~900mbar之沉积环境所成形之半导体层 。 图式简单说明: 第一图系揭示本创作氮化镓系发光二极体结构之 一较佳实施例之平面示意图。 第二图系第一图所示氮化镓系发光二极体结构中 之多重量子井主动发光层之一较佳实施平面示意 图。 第三图系揭示本创作氮化镓系发光二极体结构较 佳实施例与习用氮化镓系发光二极体结构,其正向 电流与电压特性的比较图。 第四图系揭示本创作氮化镓系发光二极体结构较 佳实施例与习用氮化镓系发光二极体结构,其电激 光谱于操作电流在20mA的比较图。 |
