| 主权项 |
1.一种化学机械研磨方法,其用来将其上形成有导 电层之一晶圆(W)的表面平坦化,该方法包括以下的 步骤: 供应泥浆(37S)至一研磨垫(34a)上; 将该晶圆(W)压抵该研磨垫(34a); 在一研磨区(16)中的该研磨垫(34a)周围制造一不同 于环境空气的氛围;及 施加电压于该晶圆(W)与该研磨垫(34a)之间用以用 一电解效应来研磨该晶圆(W)。 2.一种化学机械研磨设备(10),用来将其上形成有一 导电层的晶圆(W)的表面平坦化,该设备包含: 一研磨垫(34a); 一泥浆供应装置(37A,37B,37C),其将泥浆(37S)供应至该 研磨垫(34a)上; 一研磨头(38A,38B),其将该晶圆(W)压抵该研磨垫(34a); 一电压施加装置(11,11A),其施加电压至该晶圆(W)与 该研磨垫(34a)之间用以实施电子研磨;及 一氛围改变装置(12),用来在一研磨区(16)中的该研 磨垫(34a)周围制造一不同于环境空气的氛围, 其中该电子研磨是在该具有不同于环境空气的组 成之氛围中实施的。 3.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨设备( 10),其中该氛围改变装置(12)包含: 一室(13),其气密地容纳该研磨区(16); 一抽吸装置(15),其将气体从该室(13)中抽出;及 一气体供应装置(17),其将具有不同于环境空气的 组成之气体供应至该室(13)。 4.如申请专利范围第3项所述之化学机械研磨设备( 10),其更包含一负载锁定室(50)其连接至该室(13)。 5.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨设备( 10),其中该氛围改变装置(12)包含: 一喷嘴(12A),其局部地将气体朝向位在研磨区内的 晶圆喷出;及 一气体供应装置(17),其将具有不同于环境空气的 组成之气体供应至该喷嘴(12A)。 6.如申请专利范围第5项所述之化学机械研磨设备( 10),其中该氛围改变装置(12)更包含一气体扩散防 止壁(12B)其将该研磨区(16)内的晶圆(W)覆盖起来用 以防止喷向该晶圆(W)的气体扩散开来。 图式简单说明: 第1图为依据本发明的实施例的整个CMP设备的平面 图; 第2图为一剖面图,其显示依据本发明的实施例之 CMP设备的一研磨装置; 第3图为该CMP设备的一晶圆流的平面图; 第4图为一剖面图,其显示出本发明的另一实施例; 第5(a)及5(b)图分别为一剖面图及一平面图,其显示 出一简化的氛围改变装置;及 第6图为一剖面图,其显示一简化的氛围改变装置 的变化。 |
