| 主权项 |
1.一种光导波耦合回路装置,包括: 一基板; 一高分子下部覆盖层,形成于该基板上; 至少二个高分子光导波路,形成于该高分子下部覆 盖层上; 一高分子上部覆盖层,披覆该些高分子光导波路; 该些至少二个高分子光导波路之其二个光导波路, 具有于复数个地方,相互接近构成之复数个方向性 耦合器; 该些二个光导波路之个别一端为输入端,而个别另 一端为输出端,而所成之一光导波耦合回路元件; 其中连接于该些方向性耦合器之任意相邻二个方 向性耦合器之间之该二个光导波路,设定一实际光 路长差L, 该实际光路长差L之范围设定为0.6~0.8微米。 2.一种光导波耦合回路装置,包括: 一基板; 一高分子下部覆盖层,形成于该基板上; 至少二个高分子光导波路,形成于该高分子下部覆 盖层上; 一高分子上部覆盖层,披覆该些高分子光导波路; 该些至少二个高分子光导波路之其二个光导波路, 具有于复数个地方,相互接近构成之复数个方向性 耦合器; 连接于该些方向性耦合器之任意相邻二个方向性 耦合器之间之该二个光导波路之一实际光路长差 L,设定该实际光路长差L之范围设定为0.6~0.8微 米, 该些各方向性耦合器,具有个别之该二个光导波路 之平行部份。 3.如申请专利范围第1项与第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中该高分子光导波路由高分子 材料,具有折射率在1.5182~1.5667之间。 4.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中该高分子下部覆盖层由高分 子材料,具有折射率在1.5136~1.5620之间。 5.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中该高分子上部覆盖层由高分 子材料,具有折射率在1.5136~1.5620之间。 6.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中于该些方向性耦合器之一端 之二个光导波路之平行部份之长为0.0311~0.072mm,于 该些方向性耦合器之另一端,其平行部份之长为0. 982~1.741mm。 7.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中于该些方向性耦合器之二光 导波路之平行部份之间隔分别为4.1~6.4微米。 8.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中该些光导波路之剖面形状为 一方形有宽度w与厚度t。 9.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光导 波耦合回路装置,其中该些光导波路之剖面形状为 一正方形。 10.如申请专利范围第9项所述之光导波耦合回路装 置,其中该些光导波路之该正方形,其边长为6~8微 米。 11.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光 导波耦合回路装置,其中该基板包括石英板。 12.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光 导波耦合回路装置,其中该基板包括矽板。 13.如申请专利范围第1项至第2项之其一所述之光 导波耦合回路装置,其中该基板包括聚硫亚氨( polyimide)树脂板。 图式简单说明: 第1图绘示依据本发明,伴随温度变化高分子光导 波耦合回路装置之平面图与侧面图。 第2图绘示高分子光导波路交错器之平面图。 第3图绘示使用温度为20℃时,于第1图之实施例中 之信号光之波长变化,其相对之功率分配率变化。 第4图绘示使用温度为0℃时,于第1图之实施例中之 信号光之波长变化,其相对之功率分配率变化。 第5图绘示使用温度为10℃时,于第1图之实施例中 之信号光之波长变化,其相对之功率分配率变化。 第6图绘示使用温度为30℃时,于第1图之实施例中 之信号光之波长变化,其相对之功率分配率变化。 第7图绘示使用温度为40℃时,于第1图之实施例中 之信号光之波长变化,其相对之功率分配率变化。 第8图绘示Mach-Zehnder干涉计型光回路17之上视图与 侧面图。 |
