| 主权项 |
1.一种电气光学装置的制造方法,包括: 形成位于下层之至少一种薄膜状第1电极: 于该第1电极上形成具有接触洞的绝缘膜;以及 在该具有接触洞的绝缘膜上形成至少一种薄膜状 第2电极,其中该第2电极至少有一部分藉由该接触 洞而与该第1电极形成电气连接; 其特征在于: 该绝缘膜至少形成两层以上,且至少利用两次以上 的制程在该绝缘膜形成该接触洞。 2.一种液晶显示装置的制造方法,包括: 进行第1制程,在绝缘性基板上形成第1导电性薄膜, 并且利用第1微影制程至少形成闸极配线、闸极电 极、以及闸极端子; 进行第2制程,形成第1绝缘膜、半导体主动膜以及 欧姆接触膜,并且利用第2微影制程将该半导体主 动膜与该欧姆接触膜图案化; 进行第3制程,形成第2导电性薄膜,并利用第3微影 制程至少形成源极配线、源极电极、源极端子、 汲极电极; 进行第4制程,形成第2绝缘膜,并利用第4微影制程 而在该第2绝缘膜至少形成到达该源极端子、汲极 电极之接触洞,以及在该第1绝缘膜与该第2绝缘膜 至少形成到达该闸极端子表面的接触洞;以及 进行第5制程,形成第3导电性薄膜,并利用第5微影 制程而至少形成与该汲极电极电气连接之画素电 极图案、该闸极端子、与源极端子电气连接之端 子垫图案; 其特征在于: 至少重复该第4制程两次以上,而形成至少两层以 上之包括该第2绝缘膜与该接触洞之结构。 3.一种横方向电场方式之液晶显示装置的制造方 法,包括: 形成位于下层之至少一种薄膜状电极; 于该电极上形成具有接触洞的绝缘膜;以及 在该具有接触洞的绝缘膜上形成至少一种薄膜状 画素电极以及相对于该画素电极之相对电极,其中 该画素电极以及该相对电极中至少有一方藉由该 接触洞而与该至少一种薄膜状电极形成电气连接, 且在该画素电极以及该相对电极之间于大略平行 该绝缘膜表面的方向上施加电场; 其特征在于: 该绝缘膜至少形成两层以上,且至少利用两次以上 的制程在该绝缘膜形成该接触洞。 4.一种横方向电场方式之液晶显示装置的制造方 法,包括: 进行第1制程,在绝缘性基板上形成第1导电性薄膜, 并且利用第1微影制程至少形成闸极配线、闸极电 极、以及保持容量共通电极; 进行第2制程,形成第1绝缘膜、半导体主动膜以及 欧姆接触膜,并且利用第2微影制程将该半导体主 动膜与该欧姆接触膜图案化; 进行第3制程,形成第2导电性薄膜,并利用第3微影 制程至少形成源极配线、源极电极、汲极电极、 保持容量接触膜; 进行第4制程,形成第2绝缘膜,并利用第4微影制程 而在该第2绝缘膜至少形成到达该汲极电极、该保 持容量接触膜表面之接触洞,以及在该第1绝缘膜 与该第2绝缘膜至少形成到达该保持容量接触膜表 面的接触洞;以及 进行第5制程,形成第3导电性薄膜,并利用第5微影 制程而形成与该汲极电极以及该保持容量接触膜 呈电气连接之画素电极图案、与保持容量共通电 极呈电气连接且相对于该画素电极之相对电极; 其特征在于: 至少重复该第4制程两次以上,而形成至少两层以 上之包括该第2绝缘膜与该接触洞之结构。 5.如申请专利范围第2或4项所述之液晶显示装置的 制造方法,其中利用该第3制程而形成之该第2导电 性薄膜系以钼为主成份,包括至少含有10wt%以下之 铌的钼铌合金。 6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置的制 造方法,其中利用该第5制程而形成之该第3导电性 薄膜系以钼为主成份,包括至少含有10wt%以下之铌 的钼铌合金。 7.如申请专利范围第6项所述之液晶显示装置的制 造方法,其中利用该第1制程而形成之该第1导电性 薄膜系以铝为主成份,包括至少含有5wt%以下之钕 的铝钕合金。 8.一种电气光学装置,包括: 位于下层之至少一种薄膜状第1电极; 位于该第1电极上具有接触洞的绝缘模;以及 位于该具有接触洞的绝缘膜上之至少一种薄膜状 第2电极,其中该第2电极至少有一部分藉由该接触 洞而与该第1电极连接; 其特征在于: 该绝缘膜至少形成两层以上,且形成于该两层以上 之绝缘膜内之该接触洞的形状之面积系往上层方 向增加,该形状之剖面外径依序扩大且形成楼梯状 或顺圆锥状。 9.一种液晶显示装置,包括: 至少形成于绝缘性基板上之闸极配线、闸极电极 、闸极端子以及保持容量共通电极; 至少形成于该绝缘性基板上方之闸极绝缘膜、薄 膜电晶体之半导体主动膜、源极电极、汲极电极 、源极配线以及源极端子; 形成于该绝缘性基板上方之具有到达该源极端子 以及该汲极电极之接触洞的层间绝缘膜; 形成于该闸极绝缘膜以及该层间绝缘膜之到达该 闸极端子表面之接触洞;以及 至少形成于该绝缘性基板上方之与该汲极电极呈 电气连接之画素电极、与该闸极端子以及源极端 子呈电气连接之端子垫; 其特征在于: 该层间绝缘膜至少具有两层以上之构造,且形成于 该层间绝缘膜之接触洞的形状愈靠近上层则面积 愈大且剖面外径依序扩大,而呈现楼梯状或是顺圆 锥状。 10.一种横方向电场方式之液晶显示装置,包括: 位于下层之至少一种薄膜状电极; 位于该电极上且形成有接触洞的层间绝缘膜;以及 位于该形成有接触洞的绝缘膜上之至少一种薄膜 状画素电极以及相对于该画素电极之相对电极,其 中该画素电极以及该相对电极中至少有一方藉由 该接触洞而与该至少一种薄膜状电极形成电气连 接,且在该画素电极以及该相对电极之间于大略平 行该绝缘膜表面的方向上施加电场; 其特征在于: 该层间绝缘膜至少具有两层以上之构造,且形成于 该层间绝缘膜之接触洞的形状愈靠近上层则面积 愈大,且剖面外径依序扩大而呈现楼梯状或是顺圆 锥状。 11.一种横方向电场方式之液晶显示装置,包括: 至少形成于绝缘性基板上之闸极配线、闸极电极 以及保持容量共通电极; 至少形成于该绝缘性基板上方之闸极绝缘膜、薄 膜电晶体之半导体主动膜、源极电极、汲极电极 、源极配线以及保持容量接触膜; 形成于该绝缘性基板上方之具有到达该汲极电极 以及该保持容量接触膜之各表面之接触洞的层间 绝缘膜; 形成于该闸极绝缘膜以及该层间绝缘膜之到达该 保持容量共通电极表面之接触洞;以及 至少形成于该绝缘性基板上方之与该汲极电极、 该保持容量接触膜呈电气连接之画素电极、与该 保持容量共通电极呈电气连接且相对于该画素电 极之相对电极; 其特征在于: 该层间绝缘膜至少具有两层以上之构造,且形成于 该至少两层以上之层间绝缘膜之接触洞的形状愈 靠近上层则面积愈大且剖面外径依序扩大,而呈现 楼梯状或是顺圆锥状。 12.如申请专利范围第8项所述之电气光学装置,其 中该两层以上之绝缘膜之膜厚愈靠近上层则愈薄 。 13.如申请专利范围第9至11项中任何一项所述之液 晶显示装置,其中该两层以上之层间绝缘膜之膜厚 愈往上层则愈薄。 图式简单说明: 第1图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的平 面图。 第2图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的剖 面图。 第3图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第4图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第5图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第6图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第7图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第8图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第9图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第10图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第11图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第12图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第13图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第14图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第15图系绘示本发明第1实施例之TFT阵列基板之一 部分的剖面图。 第16图系绘示其它比较例之TFT阵列基板之一部分 的剖面图。 第17图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的平 面图。 第18图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的剖 面图。 第19图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第20图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第21图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第22图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第23图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第24图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第25图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第26图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第27图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第28图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 第29图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程平面图。 第30图系绘示本发明第2实施例之TFT阵列基板的制 程剖面图。 |
