| 主权项 |
1.一种接线板,包含: 一基层绝缘膜,其厚度系为20~100m,并具有一介层 孔; 一下部线路,系形成于该基层绝缘层之下表面上, 并连接至该介层孔;及 一上部线路,系形成于该基层绝缘层上,并透过该 介层孔连接至该下部线路; 其中该基层绝缘膜系由一耐热树脂构成,该耐热树 脂之玻璃转换温度系为150℃或以上,并包含玻璃或 芳族聚胺(aramid)构成之强化纤维,其T℃温度之弹 性模数系为DT (GPa),T℃温度之断裂强度系为HT (MPa), 具有下列(1)~(6)项之物理特性: (1)厚度方向之热膨胀系数系为90 ppm/k或以下; (2) D23≧5; (3) D150≧2.5; (4) (D-65/D150)≦3.0; (5) H23≧140;以及 (6) (H-65/H150)≦2.3。 2.如申请专利范围第1项所述之接线板,其中该强化 纤维之直径系为10m或以下。 3.如申请专利范围第1项所述之接线板,更包含一或 多个线路结构层,各该线路结构层包含: 一中间线路,设置于该基层绝缘膜及该上部线路间 ,并藉由该介层孔连接至该下部线路;及 一中间绝缘膜,覆盖该中间线路,并形成另一介层 孔连接该中间线路至该上部线路。 4.如申请专利范围第1项所述之接线板,其中一凹部 系形成于该基层绝缘膜之该下表面,且该下部线路 系嵌置于该凹部。 5.如申请专利范围第4项所述之接线板,其中该下部 线路之下表面系高于该基层绝缘膜之该下表面0.5~ 10m。 6.如申请专利范围第4项所述之接线板,其中该下部 线路之该下表面与该基层绝缘膜之该下表面系共 面。 7.如申请专利范围第6项所述之接线板,更包含一保 护膜,形成于该基层绝缘膜之下,并覆盖该下部线 路之部分,暴露该下部线路之剩余部分。 8.如申请专利范围第1项所述之接线板,更包含一焊 料抗蚀层,系覆盖该上部线路之部分,暴露该上部 线路之剩余部分。 9.一种半导体封装,包含: 一接线板,如申请专利范围第1至8项中任一项所述 者;及 一半导体装置,固定于该接线板上。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体封装,其中 该半导体装置系连接至该下部线路。 11.如申请专利范围第9项所述之半导体封装,其中 该半导体装置系连接至该上部线路。 12.如申请专利范围第9项所述之半导体封装,更包 含一连接端子,用以连接一外部装置,并连接至该 上部线路与该下部线路。 图式简单说明: 第1图系显示习知组合式基板之剖面图; 第2A~2C图系显示习知制造印刷电路板流程之剖面 图; 第3A与3B图系显示习知制造接线板流程之剖面图; 第4图系显示本发明第一实施例所示之接线板之剖 面图; 第5图系显示第一实施例所示之半导体封装之剖面 图; 第6图系显示第一实施例所示之另一半导体封装之 剖面图; 第7图系显示本发明第二实施例所示之接线板之剖 面图; 第8图系显示第二实施例所示之半导体封装之剖面 图; 第9A~9C图系显示本发明三实施例所示之制造接线 板流程以及配置之剖面图; 第10图系显示本发明第四实施例之接线板之剖面 图; 第11A~11E图系显示本发明一实施例所示之制造接线 板流程之剖面图; 第12A与12C图系显示本发明一实施例所示之制造半 导体封装流程之剖面图; 第13A~13D图系显示本发明二实施例所示之制造接线 板以及半导体封装流程之剖面图;及 第14图系显示评估测试用之半导体封装之剖面图 。 |
