| 主权项 |
1.一种矽单结晶拉晶装置之热遮蔽组件,其中,热遮 蔽组件36,系设于由包围石英坩埚13外周面之加热 器18所加热,而储存于上述石英坩埚13之矽融液12中 之矽单结晶棒25之拉晶装置22,且具备:筒部37,其下 端位于上述矽融液12表面留间隔之上方,而包围上 述矽单结晶棒25外周面以遮蔽上述加热器18之辐射 热;膨出部41,设于上述筒部37下部向筒内方向膨出; 及圈状蓄热组件47,包围设于上述膨出部41内部之 上述矽单结晶棒25下部外周面,其特征包括: 上述蓄热组件47之热传导率为5W/ (m℃)以下; 上述蓄热组件47具有对上述矽单结晶棒25之轴心线 平行或-30度以上+30度以下之角度倾斜之内周面; 上述矽单结晶棒25之直径为d时,d为100mm以上,而上 述蓄热组件47之内周面高度H1为10mm以上d/2以下,与 上述矽单结晶棒25之外周面间之最小间隔W1为10mm 以上0.2d以下; 上述蓄热组件47具有对上述矽单结晶棒25之轴心线 平行或-30度以上+30度以下角度倾斜之外周面;及 上述外周面之上缘与蓄热组件47之最下部间之垂 直距离H2为10mm以上d以下,与上述石英坩埚13内周面 之最小间隔W2为20mm以上d/4以下。 2.如申请专利范围第1项之矽单结晶拉晶装置之热 遮蔽组件,其中, 该蓄热组件47具有,对形成为水平之上面或水平面, 以超过0度之80度以下之角度(),向上方逐渐形成 直径增大之上面。 3.如申请专利范围第1项或第2项之矽单结晶拉晶装 置之热遮蔽组件,其中该蓄热组件47具有水平之底 面。 4.如申请专利范围第1项或第2项之矽单结晶拉晶装 置之热遮蔽组件,其中该蓄热组件47具有:对平面以 0度以上80度以下之角度(或)逐渐向下方或上 方形成直径减小之底面。 5.如申请专利范围第1项或第2项之矽单结晶拉晶装 置之热遮蔽组件,其中该筒部37具有:内筒组件37a、 外筒组件37b、及隔热材料37c,该隔热材37c系充填或 配置在上述内筒组件37a与外筒组件37b之间。 6.如申请专利范围第5项之矽单结晶拉晶装置之热 遮蔽组件,其中该隔热材料37c之内径D1为2d以上,厚 度t为5mm以上。 7.如申请专利范围第6项之矽单结晶拉晶装置之热 遮蔽组件,其中该内筒组件37a之厚度为n时,内筒组 件37a之内径D2为(2d-2n)以上。 图式简单说明: 第1图为本发明矽单结晶拉晶装置之热遮蔽组件, 在第2图A部分放大剖面图。 第2图为其矽单结晶拉晶装置之剖面构成图。 第3图为筒部形成愈向下方直径愈小之热遮蔽组件 之剖面图。 第4图为筒部无充填隔热材料之热遮蔽组件之剖面 图。 第5图为蓄热组件之剖面为六角形状之热遮蔽组件 剖面图。 第6图为蓄热组件之剖面为五角形状之热遮蔽组件 剖面图。 第7图为蓄热组件之剖面为五角形状之另一热遮蔽 组件剖面图。 第8图为蓄热组件之剖面为五角形状之再一热遮蔽 组件剖面图。 第9图为蓄热组件之底面形成为愈向下方其直径愈 小之热遮蔽组件剖面图。 第10图为蓄热组件之底面形成为愈向上方其直径 愈小之热遮蔽组件剖面图。 |
