| 主权项 |
1.一种洗涤配方,系包含下列成分,基于该成分之总 重量显示重量百分率范围: 氟来源 1-21% 有机胺 20-55% 氮成分 0.5-40% 水 23-50% 其中,该氮成分包含选自下列所组成之族群的种类 :亚胺基二乙酸(IDA)、氨基乙醇、氨三乙酸(NTA)、1, 1,3,3-四甲基胍(TMG)、CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2 、CH3C (=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、(CH3CH 2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、HOOCCH2N(CH3)2及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH,且 其中该洗涤配方系有用于洗涤半导体晶圆。 2.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其中,该氟来 源包含选自下列所组成之族群的氟种类: 氟化铵;和 氟化三乙醇铵(TEAF)。 3.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其中,该有机 胺包含选自下列所组成之族群的胺: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA),和 三亚乙基二胺(TEDA)。 4.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其中,该氮成 分包含选自下列所组成之族群的种类: 亚胺基二乙酸(IDA); 氨基乙醇; 氨三乙酸(NTA);和 1,1,3,3-四甲基胍(TMG)。 5.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其更包含金属 螯合剂自0.4wt%至21wt%之范围。 6.如申请专利范围第5项之洗涤配方,其中,该金属 螯合剂系包含一或多个选自下列组成之族群的种 类,包括: 乙醯乙醯胺、 二甲基乙醯乙醯胺、 胺基甲酸铵、 啶二硫代胺基甲酸铵(APDC)、 丙酸二甲酯、 乙醯乙酸甲酯、 N-甲基乙醯乙醯胺、 2,4-戊二酮、 硫代苯甲酸四甲基铵、 三氟乙酸四甲基铵、和 四甲基二硫化双甲硫羰醯(TMTDS)。 7.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其中,该氟来 源包含选自下列所组成之族群的种类: 氟化铵、 氟化三乙醇铵(TEAF)、 氟化二乙醇铵(DGAF)、 氟化四甲铵(TMAF)、和 三(氟化氢)三乙胺(TREAT-HF)。 8.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其中,该有机 胺包含选自下列所组成之族群的胺: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA)、 三亚乙基二胺(TEDA)、 环六亚甲基四胺、 3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙基胺),和 单乙醇胺。 9.如申请专利范围第1项之洗涤配方,其中,该氟来 源包含选自下列所组成之族群的种类: 氟化铵、 氟化三乙醇铵(TEAF)、 氟化二乙醇铵(DGAF)、 氟化四甲铵(TMAF)、和 三(氟化氢)三乙胺(TREAT-HF); 该有机胺包含选自下列所组成之族群的种类: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA)、 三亚乙基二胺(TEDA)、 环六亚甲基四胺、 3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙基胺),和 单乙醇胺;以及 该氮成分包含选自下列所组成之族群的种类: 亚胺基二乙酸(IDA)、 氨基乙醇、 氨三乙酸(NTA)、 1,1,3,3-四甲基胍(TMG)。 10.如申请专利范围第5项之洗涤配方,其中,该氟来 源包含具有通式R1R2R3R4NF之化合物,其个别的R基是 独立地选自氢原子和脂肪族;并且其中该金属螯合 剂具有如下之式: X-CHR-Y,其中 R为氢或脂肪族,并且 X和Y为含有具有拉电子性质的多键结部分之官能 基。 11.如申请专利范围第10项之洗涤配方,其中,个别的 X和Y为独立地选自CONH2、CONHR'、CN、NO2、SOR'和SO2Z, 其中R'为烷基且Z为氢、卤素或烷基。 12.如申请专利范围第5项之洗涤配方,其中,该氟来 源包含具有式R1R2R3R4NF之化合物,其个别的R基是氢 或脂肪族;并且其中该金属螯合剂具有式R1R2R3R4N+-O 2CCF3,其个别的R基独立地为氢和脂肪族。 13.一种半导体晶圆的制造方法,系包含: 以洗涤配方接触该晶圆,该洗涤配方系包含下列成 分,基于该成分之总重量显示重量百分率范围: 氟来源 1-21% 有机胺 20-55% 氮成分 0.5-40% 水 23-50% 其中,该氮成分包含选自下列所组成之族群的种类 :亚胺基二乙酸(IDA)、氨基乙醇、氨三乙酸(NTA)、1, 1,3,3-四甲基胍(TMG)、CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2 、CH3C (=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、(CH3CH 2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、HOOCCH2N(CH3)2及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。 14.如申请专利范围第13项之方法,其更包含: 以洗涤配方接触该晶圆之前, 从该晶圆的表面电浆蚀刻金属化层;及 从该晶圆的表面电浆抛光光阻。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中,该氟来源包 含选自下列所组成之族群的氟种类: 氟化铵;和 氟化三乙醇铵(TEAF)。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中,该有机胺包 含选自下列所组成之族群的胺: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA),和 三亚乙基二胺(TEDA)。 17.如申请专利范围第13项之方法,其中,该氮成分包 含选自下列所组成之族群的种类: 亚胺基二乙酸(IDA); 氨基乙醇; 氨三乙酸(NTA);和 1,1,3,3-四甲基胍(TMG)。 18.如申请专利范围第13项之方法,其中该洗涤配方 更包含金属螯合剂自0.4wt%至21wt%之范围。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该金属螯合 剂系包含一或多个选自下列组成之族群的种类,包 括: 乙醯乙醯胺、 二甲基乙醯乙醯胺、 胺基甲酸铵、 咯啶二硫代胺基甲酸铵(APDC)、 丙酸二甲酯、 乙醯乙酸甲酯、 N-甲基乙醯乙醯胺、 2,4-戊二酮、 硫代苯甲酸四甲基铵、 三氟乙酸四甲基铵、和 四甲基二硫化双甲硫羰醯(TMTDS)。 20.如申请专利范围第13项之方法,其中该氟来源包 含选自下列所组成之族群的种类: 氟化铵、 氟化三乙醇铵(TEAF)、 氟化二乙醇铵(DGAF)、 氟化四甲铵(TMAF)、和 三(氟化氢)三乙胺(TREAT-HF)。 21.如申请专利范围第13项之方法,其中,该有机胺包 含选自下列所组成之族群的胺: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA)、 三亚乙基二胺(TEDA)、 环六亚甲基四胺、 3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙基胺),和 单乙醇胺。 22.如申请专利范围第13项之方法,其中,该氟来源包 含选自下列所组成之族群的种类: 氟化铵、 氟化三乙醇铵(TEAF)、 氟化二乙醇铵(DGAF)、 氟化四甲铵(TMAF)、和 三(氟化氢)三乙胺(TREAT-HF); 该有机胺包含选自下列所组成之族群的种类: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA)、 三亚乙基二胺(TEDA)、 环六亚甲基四胺、 3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙基胺),和 单乙醇胺;以及 该氮成分包含选自下列所组成之族群的种类: 亚胺基二乙酸(IDA)、 氨基乙醇、 氨三乙酸(NTA)、 1,1,3,3-四甲基胍(TMG)。 23.如申请专利范围第18项之方法,其中,该氟来源包 含具有通式R1R2R3R4NF之化合物,其个别的R基是独立 地选自氢原子和脂肪族;并且其中该金属螯合剂具 有如下之式: X-CHR-Y,其中 R为氢或脂肪族,并且 X和Y为含有具有拉电子性质的多键结部分之官能 基。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中个别的X和Y 为独立地选自CONH2、CONHR'、CN、NO2、SOR'、SO2Z,其中 R'为烷基且Z为氢、卤素或烷基。 25.如申请专利范围第18项之方法,其中,该氟来源包 含具有式R1R2R3R4NF之化合物,其个别的R基是氢或脂 肪族;并且其中该金属螯合剂具有式R1R2R3R4N+-O2CCF3, 其个别的R基独立地为氢和脂肪族。 26.一种半导体晶圆的制造方法,系包括含有下列步 骤: 从该晶圆的表面电浆蚀刻金属化层; 从该晶圆的表面电浆抛光光阻; 经由以洗涤配方接触该晶圆的表面来洗涤该晶圆, 该洗涤配方,系包含下列成分,基于该成分之总重 量显示重量百分率范围: 氟来源 1-21% 一或多个有机胺 20-55% 含氮羧酸和亚胺 0.5-40% 水 23-50% 其中,该含氮羧酸或亚胺系选自下列所组成之族群 :亚胺基二乙酸(IDA)、氨基乙醇、氨三乙酸(NTA)、1, 1,3,3-四甲基胍(TMG)、CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、CH3C( =NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、(CH3CH2 )2NC(=NH)N(CH3CH2)2 、HOOCCH2N(CH3)2及HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中该氟来源是 选自下列所组成之族群: 氟化铵;和 氟化三乙醇铵(TEAF)。 28.如申请专利范围第26项之方法,其中,该有机胺是 选自下列所组成之族群: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA),和 三亚乙基二胺(TEDA)。 29.如申请专利范围第26项之方法,其中,该含氮羧酸 或亚胺是选自下列所组成之族群: 亚胺基二乙酸(IDA); 氨基乙醇; 氨三乙酸(NTA);和 1,1,3,3-四甲基胍(TMG)。 30.如申请专利范围第26项之方法,其中该洗涤配方 更包含金属螯合剂自0.4 wt%至21wt%之范围。 31.如申请专利范围第30项之方法,其中,该金属螯合 剂是选自下列所组成之族群: 乙醯乙醯胺、 二甲基乙醯乙醯胺、 胺基甲酸铵、 咯啶二硫代胺基甲酸铵(APDC)、 丙酸二甲酯、 乙醯乙酸甲酯、 N-甲基乙醯乙醯胺、 2,4-戊二酮、 硫代苯甲酸四甲基铵、 三氟乙酸四甲基铵、和 四甲基二硫化双甲硫羰醯(TMTDS)。 32.如申请专利范围第26项之方法,其中,该氟来源是 选自下列所组成之族群: 氟化铵、 氟化三乙醇铵(TEAF)、 氟化二乙醇铵(DGAF)、 氟化四甲铵(TMAF)、和 三(氟化氢)三乙胺(TREAT-HF)。 33.如申请专利范围第26项之方法,其中,该有机胺是 选自下列所组成之族群: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA)、 三亚乙基二胺(TEDA)、 环六亚甲基四胺、 3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙基胺),和 单乙醇胺。 34.如申请专利范围第26项之方法,其中,该氟来源是 选自下列所组成之族群: 氟化铵、 氟化三乙醇铵(TEAF)、 氟化二乙醇铵(DGAF)、 氟化四甲铵(TMAF)、和 三(氟化氢)三乙胺(TREAT-HF); 该有机胺是选自下列所组成之族群: 二甘醇胺(DGA)、 甲基二乙醇胺(MDEA)、 五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 三乙醇胺(TEA)、 三亚乙基二胺(TEDA)、 环六亚甲基四胺、 3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙基胺),和 单乙醇胺;以及 该含氮羧酸或亚胺是选自下列所组成之族群: 亚胺基二乙酸(IDA)、 氨基乙醇、 氨三乙酸(NTA)、 1,1,3,3-四甲基胍(TMG)。 35.如申请专利范围第30项之方法,其中,该氟来源包 含具有式R1R2R3R4NF之化合物,其个别的R基是氢原子 或脂肪族;并且其中该金属螯合剂具有下式: X-CHR-Y,其中 R为氢或脂肪族,并且 X和Y为含有具有拉电子性质的多键结部分之官能 基。 36.如申请专利范围第30项之方法,其中,该氟来源包 含具有式R1R2R3R4NF之化合物,其个别的R基是氢或脂 肪族;并且其中该金属螯合剂具有式R1R2R3R4N+-O2CCF3, 其个别的R基为氢或脂肪族。 图式简单说明: 图1是用于本发明之广泛实施例的特定铜腐蚀抑制 剂之示意图,其在该铜金属上形成一层保护层来避 免腐蚀; 图2是以去离子水从该铜表面清洗的特定铜腐蚀抑 制剂之示意图; 图3叙述本发明之洗涤成分与表面作用; 图4描述可用于移除残渣和粒子之本发明的配方; 图5提供SEM,表示由浸渍制程所得到的结果;以及 图6描述在金属连线材料上之材料蚀刻速率。 |
