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发明名称 LATERAL DOUBLE-DIFFUSED MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
摘要
申请公布号 KR20060083903(A) 申请公布日期 2006.07.21
申请号 KR20060004903 申请日期 2006.01.17
申请人 SHARP KABUSHIKI KAISHA 发明人 TAKIMOTO TAKIHIRO;FUKUSHIMA TOSHIHIKO
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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