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Eine Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung ist offenbart, die verschiedene aufeinander folgende Prozesse für Wafer durchführen kann. Die Vorrichtung umfasst eine Kammerzone, welche mit zumindest zwei Kammern, einer Kühlzone, die der Kammerzone benachbart ist, um Wafer, welche in der Kammerzone erwärmten, abzukühlen, einer Ladezone zum Laden oder Entladen der Wafer auf oder von einem Waferboot, einer Transfereinrichtung zum Tragen des Waferboots zur Kammerzone, zur Kühlzone oder zur Ladezone und einer Steuerung zum Steuern der Arbeitsweise der Kammerzone, der Kühlzone und der Übertragungseinrichtung versehen ist.
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