发明名称 Hybrid-Speicherzelle für durch spinpolarisierten Elektronenstrom induziertes Schalten und Schreib/Leseprozess, der eine derartige Speicherzelle verwendet
摘要 Eine magnetoresistive Hybrid-Speicherzelle enthält erste und zweite Stapelstrukturen. Die erste Stapelstruktur enthält einen magnetischen Tunnelübergang einschließlich erster und zweiter magnetischer Gebiete, die in paralleler, übereinanderliegender Weise gestapelt und durch eine Schicht nichtmagnetischen Materials getrennt sind, wobei das erste magnetische Gebiet einen fixierten ersten magnetischen Momentvektor und das zweite magnetische Gebiet einen freien zweiten magnetischen Momentvektor aufweist, wobei der freie zweite magnetische Momentvektor zwischen derselben und entgegengesetzten Richtungen bezüglich des fixierten ersten magnetischen Momentvektors umschaltbar ist. Die zweite Stapelstruktur ist wenigstens teilweise lateral zu der ersten Stapelstruktur angeordnet und enthält ein drittes magnetisches Gebiet mit einem fixierten dritten magnetischen Momentvektor und das zweite magnetische Gebiet. Die ersten und zweiten Strukturen sind zwischen wenigstens zwei Elektroden und in elektrischem Kontakt mit diesen angeordnet.
申请公布号 DE102005062769(A1) 申请公布日期 2006.07.20
申请号 DE200510062769 申请日期 2005.12.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;ALTIS SEMICONDUCTOR SNC;CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S.);UNIVERSITE DE PARIS-SUD 发明人 MILTAT, JACQUES;NAKATANI, YOSHINOBU
分类号 H01L27/22;G11C11/16 主分类号 H01L27/22
代理机构 代理人
主权项
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