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Eine Leistungs-Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat (1), eine Gateelektrodenregion (Steuerelektrodenregion) (2), eine Kathodenelektrodenregion (erste Hauptelektrodenregion) (3), eine Anodenelektrodenregion (zweite Hauptelektrodenregion) (4) und einen Guardring (5). Das Halbleitersubstrat (1) weist einen Seitenflächenabschnitt mit einem Vertikalabschnitt (1a), der im wesentlichen vertikal zu einer Hauptoberfläche ausgebildet ist, und einen Mesa-Abschnitt (1b), der in einem Querschnitt mit dem Vertikalabschnitt (1a) verbunden ist, auf. Die Gateelektrodenregion (2) ist in einer ersten Hauptoberfläche (1c) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet. Die Kathodenelektrodenregion (3) ist in einem Teil einer Oberfläche der Gateelektrodenregion (2) ausgebildet. Die Anodenelektrodenregion (4) ist in einer zweiten Hauptoberfläche (1d) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet. Der Guardring (5) ist in der zweiten Hauptoberfläche (1d) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet und umgibt die Anodenelektrodenregion (4) ringförmig. Mit diesem Aufbau wird eine Leistungs-Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die die Verunreinigungsdiffusionslänge der Anodenelektrodenregion flacher ausbildet und zur Gewährleistung einer Verringerung beim Erholungsverlust.
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