Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines auf Galliumnitrid basierenden Einzelkristallsubstrats

摘要

Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines Nitrid basierenden Einzelkristallsubstrats beschrieben. Das Verfahren umfasst das Platzieren eines vorläufigen Substrats auf einer Aufnahme, die in einer Reaktionskammer angeordnet ist; Wachsenlassen einer Nitrideinzelkristallschicht auf dem vorläufigen Substrat und Bestrahlen mit einem Laserstrahl, um die Nitrideinzelkristallschicht von dem vorläufigen Substrat zu trennen, während das vorläufige Substrat in der Reaktionskammer platziert ist.