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发明名称 NONVOLATILE MEMORY DEVICE BASED ON RESISTANCE SWITCHING OF OXIDE & METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR20060083368(A) 申请公布日期 2006.07.20
申请号 KR20050003886 申请日期 2005.01.14
申请人 GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 发明人 HWANG, HYUN SANG;LEE, DONG SOO
分类号 H01L27/115;H01L27/105 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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