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发明名称 ELECTROLYTIC COPPER PLATING METHOD, PURE COPPER ANODE FOR ELECTROLYTIC COPPER PLATING, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING LOW PARTICLE ADHESION PLATED WITH SAID METHOD AND ANODE
摘要
申请公布号 KR100603131(B1) 申请公布日期 2006.07.20
申请号 KR20047008385 申请日期 2004.06.02
申请人 发明人
分类号 C25D3/38;C25D5/00;C25D7/12;C25D17/10;H01L21/288 主分类号 C25D3/38
代理机构 代理人
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