| 发明名称 | 鳍状场效应晶体管中栅极区域的多步骤化学机械研磨 | ||
| 摘要 | 一个制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)型态的半导体组件的方法包含将沉积于整个沟道上的栅极材料(320)平坦化的步骤。该平坦化步骤以包含初始的即“粗略的”平坦化和随后的“精细的”平坦化的多步骤制造过程的方式施行。用来作精细平坦化的研磨液(slurry)可包含添加物质，该物质倾向于黏附在栅极材料较低的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1806318A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200480016137.0 | 申请日期 | 2004.06.05 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | K·阿楚坦;S·S·艾哈迈德;汪海宏 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);C09G1/02(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体装置的方法，包括：在绝缘层(120)上形成鳍状结构(210)，在至少一部分的鳍状结构(210)与一部分的绝缘层(120)上形成栅极结构(320)，使用第一研磨液以执行栅极结构的化学机械研磨以进行栅极结构(320)的平坦化；并且使用不同于第一研磨液的第二研磨液以执行栅极结构(320)的化学机械研磨以进第二次的栅极结构(320)平坦化，当栅极结构的高度比周围的鳍状结构来的高时，第二次的栅极结构(320)平坦化降低半导体装置的沟道区域里的鳍状结构上的栅极结构高度，而另一方面提高鳍状结构周围的栅极结构的高度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||