| 发明名称 | 用气态介质处理半导体晶片的方法以及由该方法处理的半导体晶片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用气态介质处理半导体晶片的方法，该气态介质含有氟化氢及至少一种氧化该半导体晶片的表面的氧化剂，其特征在于，该气态介质以40毫米/秒至300米/秒的相对速率流至该半导体晶片的表面上。本发明还涉及粗糙度低且金属浓度低的半导体晶片和SOI晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1804153A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510022985.9 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 马克西米利安·施塔德勒;京特·施瓦布;克里斯托夫·弗赖;彼得·斯塔尔霍费尔 |
| 分类号 | C30B33/12(2006.01);C23F1/12(2006.01) | 主分类号 | C30B33/12(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、用气态介质处理半导体晶片的方法，该气态介质含有氟化氢及至少一种氧化该半导体晶片表面的氧化剂，其特征在于，该气态介质以40毫米/秒至300米/秒的相对速率流至该半导体晶片的表面上。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||