发明名称 |
半导体封装基板的电性连接垫电镀金属层的制造方法 |
摘要 |
一种半导体封装基板的电性连接垫电镀金属层结构及其制法提供一至少一表面具有多个电性连接垫的封装基板,在该基板表面覆盖一导电膜;在该导电膜上形成一光刻胶层,使该光刻胶层有多个开孔露出连接垫的导电膜;移除未被该光刻胶层覆盖的导电膜,该电性连接垫外露在该光刻胶层的开孔中;对该封装基板进行电镀,使该电性连接垫外露表面电镀有镍/金的金属层;移除该光刻胶层及导电膜;在该基板表面覆盖拒焊层,使该拒焊层具有多个开孔露出完成电镀金属层的电性连接垫;避免现有工序产生的跳镀与黑垫等问题,有效提升封装结构的可靠性,因不需在封装基板另外布设电镀导线,大幅增加基板的布线面积。 |
申请公布号 |
CN1265447C |
申请公布日期 |
2006.07.19 |
申请号 |
CN03109617.4 |
申请日期 |
2003.04.09 |
申请人 |
全懋精密科技股份有限公司 |
发明人 |
朱志亮;周鄂东;翁林莹 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L23/48(2006.01);H05K3/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01) |
代理机构 |
北京三幸商标专利事务所 |
代理人 |
刘激扬 |
主权项 |
1.一种半导体封装基板的电性连接垫电镀金属层制法,其特征在于,该制法包括:提供一至少一表面具有多个电性连接垫的封装基板,在该基板的表面覆盖一导电膜;在该导电膜上形成一光刻胶层,并使该光刻胶层形成多个开孔,外露电性连接垫表面的导电膜,且该开孔小于该电性连接垫;移除未被该光刻胶层覆盖的导电膜,使该电性连接垫可外露在该光刻胶层的开孔;对该封装基板进行电镀,使该电性连接垫外露表面电镀有金属层;移除该光刻胶层及其所覆盖的导电膜。 |
地址 |
台湾省新竹市 |