发明名称 热解法制造的二氧化硅粉末
摘要 热解法制造的、初级微粒的聚集体形式的二氧化硅粉末,其BET表面积为200±25m<SUP>2</SUP>/g,其中所述聚集体的平均面积为7000-12000nm<SUP>2</SUP>,平均当量圆直径(ECD)为80-100nm,平均周长为850-1050nm。其通过热解法制造,其中四氯化硅和包含H<SUB>3</SUB>SiCl、H<SUB>2</SUB>SiCl<SUB>2</SUB>、HSiCl<SUB>3</SUB>、CH<SUB>3</SUB>SiCl<SUB>3</SUB>、(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>2</SUB>SiCl<SUB>2</SUB>、(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>SiCl和/或(n-C<SUB>3</SUB>H<SUB>7</SUB>)SiCl<SUB>3</SUB>的第二硅成分与初级空气和燃烧气体混合,并引入反应室燃烧,其中所述反应室中还引入二级空气,所选择的配料需使绝热火焰温度为1570至1630℃。其可作为填料使用。
申请公布号 CN1803604A 申请公布日期 2006.07.19
申请号 CN200510067620.8 申请日期 2005.04.22
申请人 德古萨股份公司 发明人 凯·舒马赫;迪特尔·克纳;罗兰·席林;于尔根·弗莱施;托马斯·席恩勒
分类号 C01B33/18(2006.01) 主分类号 C01B33/18(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 过晓东
主权项 1.初级微粒的聚集体形式的热解法制造的二氧化硅粉末,其特征在于具有-200±25m2/g的BET表面积,其中所述聚集体具有-7000-12000nm2的平均面积,-80-100nm的平均当量圆直径(ECD),以及-850-1050nm的平均周长。
地址 德国杜塞尔多夫市