| 发明名称 | 保护电路、半导体元件或集成电路以及记忆体元件 | ||
| 摘要 | 一种保护电路包含P型金属氧化半导体晶体管和二极管，使位于半导体装置或集成电路中的电浆－感应电荷放电。P型金属氧化半导体晶体管包含基底、汲极、源极和闸极，源极连接以接受电浆－感应电荷。二极管有与P型金属氧化半导体晶体管的基底相连的正极，以及与P型金属氧化半导体晶体管的闸极相连的负极。 | ||
| 申请公布号 | CN1805140A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510071982.4 | 申请日期 | 2005.05.25 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 周铭宏;吕文彬 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/861(2006.01) | 主分类号 | H01L23/58(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种使位于半导体装置或集成电路的电浆-感应电荷放电的保护电路，其特征在于其包括：一P型金属氧化半导体晶体管，其具有一基底、一汲极、一源极和一闸极，且源极被连接以接受该电浆-感应电荷；以及一二极管，具有一正极和一负极，该正极与该P型金属氧化半导体晶体管的该基底连接，该负极与该P型金属氧化半导体晶体管的该闸极连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||