Method for forming intermetallic dielectric layer in CMOS image sensor,申请号KR20040106151-传众专利搜索

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发明名称	Method for forming intermetallic dielectric layer in CMOS image sensor
摘要
申请公布号	KR100602127(B1)	申请公布日期	2006.07.19
申请号	KR20040106151	申请日期	2004.12.15
申请人		发明人
分类号	H01L27/146;H01L31/10	主分类号	H01L27/146
代理机构		代理人
主权项
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