| 发明名称 | 芯片光刻制程中油浸式曝光方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及芯片的光学刻制加工方法，尤其是指芯片光刻制程中油浸式曝光方法。其特征在于包括下述的步骤：(1)首先在光刻机的光罩透镜系统中置入曝光介质；(2)在曝光反应室内，在“对准和曝光”工序之前芯片加涂曝光介质；(3)平展芯片表面上的曝光介质，使其均匀一致且不得出现气泡；(4)将光罩移至芯片之上，微调下降透镜系统，使透镜镜片触及芯片上的曝光介质。所说的曝光介质是植物油并优选一种香柏油。采用本发明以油为介质的油浸式曝光方法，不仅可以刻制出比曝光波长还小的图形，而且避免了昂贵的费用投资。本发明实为一种有益的改进。 | ||
| 申请公布号 | CN1804724A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510002157.9 | 申请日期 | 2005.01.14 |
| 申请人 | 朱晓 | 发明人 | 朱晓 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 徐小琴 |
| 主权项 | 1、一种芯片光刻制程中油浸式曝光方法，其特征在于包括下述的步骤：(1)首先在光刻机的光罩透镜系统中置入曝光介质；(2)在曝光反应室内，在“对准和曝光”工序之前芯片加涂曝光介质；(3)平展芯片表面上的曝光介质，使其均匀一致且不得出现气泡；(4)将光罩移至芯片之上，微调下降透镜系统，使透镜镜片触及芯片上的曝光介质。 | ||
| 地址 | 100044北京市海淀区首体南路20号4号楼407室 | ||