含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置

摘要

本发明提供了适用于半导体装置用层间绝缘材料的、由仲烃基或叔烃基与硅原子直接相连的硅烷化合物通过化学气相成长法形成的绝缘膜用材料、由该材料形成的绝缘膜及使用该绝缘膜的半导体装置。所述绝缘膜用材料含通式(1)表示的有机硅烷化合物，该材料通过使有机卤化物与金属锂反应生成叔碳原子和锂直接连接的有机锂，再使该有机锂与卤代烷氧基硅烷或四烷氧基硅烷反应而制得。式中，R¹、R²、R³表示碳原子数1～20的烃基，R¹、R²、R³可相互结合形成环状结构，R⁴表示碳原子数1～10的烃基或氢原子，n表示1～3的整数。

主权项

1.绝缘膜用材料，其特征在于，由化学气相成长法形成，包含具有至少一个仲烃基及/或叔烃基与硅原子直接相连的结构的有机硅烷化合物，所述的具有叔烃基与硅原子直接相连的结构的有机硅烷化合物由以下通式(1)：表示，式中，R¹、R²、R³表示碳原子数1～20的烃基，R¹、R²、R³可相互结合形成环状结构，R⁴表示碳原子数1～10的烃基或氢原子，a表示1～3的整数。