发明名称 一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法
摘要 本发明属于材料科学与技术领域,涉及到晶体生长科学与技术,尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料,以冷坩埚为炉体,先焙烧菱镁矿石,经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合,放入冷坩埚炉体中,采用三相交流电熔法加热,控制升温、恒温和降温曲线,即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单,易于掌握,工艺稳定,是新一代高科技产品。
申请公布号 CN1265032C 申请公布日期 2006.07.19
申请号 CN200410021334.3 申请日期 2004.03.02
申请人 大连理工大学 发明人 王宁会;黄耀;戚栋;范卫东;吴彦
分类号 C30B29/16(2006.01);C30B11/02(2006.01);C01F5/02(2006.01) 主分类号 C30B29/16(2006.01)
代理机构 大连理工大学专利中心 代理人 侯明远
主权项 1.一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法,其特征是:用三种不同轻烧镁原料A粒度≤3mm,MgO含量≥96%;B 10mm≤粒度≤30mm,MgO含量≥98%;C 20mm≤粒度≤40mm,MgO含量≥97%,混料时三种料的重量比为1.5∶1∶3,采用三相交流电熔法加热,提拉电极,再经降温,即可获得立方氧化镁晶体。
地址 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号