| 发明名称 | Ti膜及TiN膜的成膜方法、接触结构、计算机能够读取的存储介质以及计算机程序 | ||
| 摘要 | 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1806315A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200580000473.0 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 多田国弘;成嵨健索;若林哲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);C23C16/14(2006.01);C23C16/34(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，是以在含Si的基板或在基板上形成的金属硅化物膜为衬底，在其上进行Ti膜及TiN膜的成膜的成膜方法，其特征在于，具备：清洁化所述衬底表面的工序；使用Ti化合物气体通过CVD在衬底上进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜的工序；氮化所述Ti膜的工序；在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体与含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||