| 发明名称 | 菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明属于光电子材料技术领域，涉及菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及将其作为传输层用于有机薄膜晶体管。该菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体结构通式如右式。本发明提供的菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体具有高的热稳定性和环境稳定性，可通过真空升华的方法得到高纯度产品，且具有高迁移率的特点，还由于在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，所以作为传输层应用于有机薄膜晶体管中，用其制备的器件在空气中稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN1803792A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510119001.9 | 申请日期 | 2005.11.21 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 耿延候;田洪坤;史建武 |
| 分类号 | C07D333/04(2006.01);C07D495/04(2006.01);C07D519/00(2006.01);C07D513/04(2006.01);H01L51/30(2006.01) | 主分类号 | C07D333/04(2006.01) |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人 | 马守忠 |
| 主权项 | 1、一种菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体，其特征在于，它具有如下结构通式：<img file="A2005101190010002C1.GIF" wi="1309" he="283" />其中<img file="A2005101190010002C2.GIF" wi="216" he="123" />包括以下通式结构：<img file="A2005101190010002C3.GIF" wi="368" he="178" />n＝1-4 (I)<img file="A2005101190010002C4.GIF" wi="500" he="247" />x＝C，N n＝1-2 (II)<img file="A2005101190010002C5.GIF" wi="687" he="205" />x＝C，N (III) | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街5625号 | ||