T型栅金属剥离方法

摘要

一种T型栅金属剥离方法，包括如下步骤：将蒸发后的芯片放入盛有丙酮试剂的容器中，保证芯片浸于液面以下，栅线条以外的金属会剥落；确认表面金属大面积剥落后，将芯片从丙酮试剂中取出，在乙醇溶液、水进行冲洗；用氮气吹干芯片；在紫外光曝光灯下曝光；将芯片放入TMAH∶H₂O＝4∶1溶液中浸泡；用水冲干净试剂，氮气吹干；将芯片放入盛有丙酮试剂的容器中浸泡，保证芯片浸于液面以下；将芯片从丙酮试剂中取出，在乙醇溶液、水进行冲洗；用氮气吹干芯片；检查表面情况，完成金属剥离工序。

主权项

1、一种T型栅金属剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将进行金属蒸发后的芯片放入盛有丙酮试剂的容器中，保证芯片浸于液面以下，栅线条以外的金属会剥落；(2)确认芯片表面金属大面积剥落后，将芯片从丙酮试剂中取出，在乙醇溶液、水中进行冲洗；(3)用氮气吹干芯片；(4)在紫外光曝光灯下曝光；(5)将芯片放入TMAH∶H2O＝4∶1溶液中浸泡；(6)用水冲干净芯片上的溶液，氮气吹干；(7)将芯片放入盛有丙酮试剂的容器中浸泡，保证芯片浸于液面以下；(8)将芯片从丙酮试剂中取出，用乙醇溶液、水进行冲洗；(9)用氮气吹干芯片；(10)检查表面情况，完成金属剥离工序。