发明名称 |
超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和用途 |
摘要 |
本发明提供了一种超分子插层结构紫外光吸收剂及其制备方法和该紫外光吸收剂的用途。本发明利用水滑石具有可插层组装的特点,在水滑石层间插入5-苯并三唑-4-羟基-3-异丁基-苯磺酸(5-benzotriazolyl-4-hydroxy-3-sec-butylbenzenesulfonic acid,简称BZO)的阴离子(酸根),制备层间客体为BZO阴离子(C<SUB>16</SUB>H<SUB>16</SUB>N<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>S)<SUP>-</SUP>的超分子插层结构材料。该超分子插层结构紫外光吸收剂的化学组成式为[M<SUP>2+</SUP><SUB>1-x</SUB>M<SUP>3+</SUP><SUB>x</SUB>(OH)<SUB>2</SUB>](C<SUB>16</SUB>H<SUB>16</SUB>N<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>S)<SUP>-</SUP><SUB>x</SUB>·mH<SUB>2</SUB>O,对280-370nm波段紫外光的吸收率大于90%。该超分子插层结构紫外光吸收剂的热稳定性与插层客体BZO相比有显著的提高,其层间物种的明显分解温度在450℃左右。超分子插层结构紫外光吸收剂可用作如聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯氰-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)以及聚氨酯等易光氧降解树脂的耐光老化添加剂。 |
申请公布号 |
CN1803901A |
申请公布日期 |
2006.07.19 |
申请号 |
CN200510134719.5 |
申请日期 |
2005.12.19 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
段雪;李殿卿;脱振军 |
分类号 |
C08K9/04(2006.01);C08L23/12(2006.01);C08L69/00(2006.01);C08L75/04(2006.01);C08L55/02(2006.01) |
主分类号 |
C08K9/04(2006.01) |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
何俊玲 |
主权项 |
1.一种超分子插层结构紫外光吸收剂,其化学组成式为:[M2+1-xM3+x(OH)2](C16H16N3O4S)-x·mH2O 其中0.2≤x≤0.33,m为层间结晶水分子数,0≤m≤2;M2+、M3+分别代表层板二价、三价金属离子,M2+是Mg2+、Ni2+、Zn2+、Fe2+或Cu2+中的任何一种,M3+是Al3+、Co3+、Fe3+、Ti3+或Ga3+中的任何一种,M2+/M3+摩尔比为2-4∶1。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北三环东路15号 |