| 发明名称 | 晶粒大小可控的多晶Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>薄膜，Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1805080A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200610013055.1 | 申请日期 | 2006.01.16 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 刘晖;王健;王雅欣;孙云;张德贤;李养贤;李志青 |
| 分类号 | H01F10/20(2006.01);H01F10/32(2006.01);H01F41/18(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01) | 主分类号 | H01F10/20(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 赵尊生 |
| 主权项 | 1、一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料，其特征在于它是先在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，厚度100～500nm，晶粒随机取向，没有织构，薄膜的室温磁电阻数值11～12％；所述的基片是玻璃、石英、聚酯、单晶硅或单晶砷化镓等。 | ||
| 地址 | 300071天津市卫津路94号南开大学信息学院 | ||