存储器矩阵的寻址方法

摘要

一种驱动无源矩阵显示器或存储器存储单元的阵列的方法，存储单元包括一种铁电材料，其中，通过把电位或电压施加到矩阵或阵列中的字或位线上，可以把各存储单元的极化状态加以切换，对一个被选择的字或位线上的一个电位加以控制，以接近n个预先定义的电位电平之一，或与这n个预先定义的电位电平之一相一致，并根据一个协议及时地控制所有字和位线上的电位，以至于可把字线相继地锁定在一个从n_WORD电位中被选择的电位上，同时或在时序的某一个周期期间，可把位线相继地锁定在从n_BIT电位中被选择的电位上。

主权项

1.一种驱动无源矩阵可寻址显示器或存储器存储单元阵列的方法，该无源矩阵可寻址显示器或存储器存储单元阵列包括一种可电气地极化的、展示滞后的材料，其中，通过把电位或电压施加到形成一个寻址矩阵的字或位线，可以把各个可独立选择的存储单元的极化状态切换到一个所希望的状态，其中，该方法包括：建立一个电压脉冲调制协议，这一协议具有n个电压或电位电平，n≥3，以至于这一电压脉冲调制协议可定义一个时序，用于以一个时间协调的方式单独地控制施加于矩阵的字和位线上的电压，配置所述时序，以包括至少两个不同的部分，即包括一个“读周期”，在这一周期期间，感应在一条或多条所述被选择位线和连接于一条或多条所述位线的存储单元之间流动的电荷；以及一个“刷新/写周期”，在这一周期期间，使与被选择的字和位线相连接的存储单元中的一或多个极化状态对应于一组预定的逻辑状态或数据值，其中，该方法的特征在于，选择一个具有0值的电压电平、另一个等于一个极化切换电压VS 的电压电平、至少一个拥有0和VS之间的一个值的附加的电压电平，如果电压脉冲调制协议包括三个以上的电压电平，则选择至少另一个拥有0和VS之间的一个值的附加的电压电平、或至少另一个拥有0和VS之间的一个值的附加的电压电平、以及另一个拥有大于VS的一个值的附加的电压电平，选择在电压脉冲调制协议中接连的和随后的电压电平之间的间隔总是拥有相同的值；选择一或多对电压电平，作为一对或多对有功电压电平，以至于所述一或多对有功电压电平中的电压电平之间的电位差为VS或更高；选择一或多个电压电平，作为静态电压电平，以至于至少一个静态电压电平拥有0和VS之间的一个值；为以通过把一对所述有功电压电平的每一电压电平分别施加于在要被选择的在存储器存储单元处交叉的一条字线和一条位线上，而把数据内在地写到电压脉冲调制协议中，或把数据内在地从电压脉冲调制协议中内在地读出的形式的一个寻址操作，选择各个存储器存储单元；在初始化一个写或读周期之前，使所有字和位线被锁定在所述一或多个静态电压电平中的一个电压电平上；在所述所定义的时序的写周期中，通过下列方式执行一个写操作：把一条字线锁定在一对所述有功电压电平中的一个电压电平上，把一或多条位线锁定到所述有功电压电平对的另一个电压电平上，或者锁定到尽可能接近于施加于所述字线的电压电平的一个静态电压电平上，从而激活字和位线，以通过在存储单元中设置一个确定的极化状态、改变存储单元的一个现存的极化状态、或使存储单元的一个现存的极化状态保持不变，在一个被选择的存储器存储单元上执行写操作，其中所述极化状态是预先加以定义的，它代表了存储在存储器存储单元中的数据值；同时，在写操作期间，把不有效字线和不有效位线锁定在所述至少一个静态电压电平上，或在使用一个以上的静态电压电平的情况中，把它们从一个静态电压电平切换到另一个静态电压电平上，或切换到另一个电压电平上，从而在任何情况中，所述电压电平之间的差将不超过VS；在所述所定义的时序的读周期中，通过下列方式执行一个读操作：把一条字线和一或多条位线分别锁定在一对所述有功电压电平中的一个电压电平上，并感应流经一或多条有效位线和相应连接于所述一或多条位线的一或多个存储单元之间的电荷，所述电荷的流动指示了相应所述一或多个存储器存储单元的一个极化状态，所述极化状态是预先加以定义的，它代表了存储在一个存储器存储单元中的数据值，同时，在读操作期间，把不有效字线和不有效位线锁定在一个静态电压电平上，或在使用一个以上的静态电压电平与/或一对以上的有功电压电平的情况中，把它们从一个静态电压电平切换到另一个静态电压电平上，或切换到另一个电压电平上，从而在任何情况中，所述电压电平中的差将不超过VS；以及在终止一个写或读周期之后，把所有字线和位线返回到一个静态电压电平；在任何其发生关于是否将设置一个存储器存储单元的一个极化状态、保持一个极化状态不变、或重新设置一个极化状态的情况中，根据电压脉冲调制协议为有效线选择电压电平，同时，对锁定在静态电压电平和其它电压电平之间的不有效字和位线上的电压电平的选择，发生在关于施加于这些操作中的有效字和位线的电压电平的写和读操作中，以便将有效和不有效线之间的电容耦合以及对未被寻址存储器存储单元的可能的干扰最小化。