| 发明名称 | 半导体器件中失效分析的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体失效分析的分析结构和方法。所述结构包括：多个分析场，设置于半导体器件的预定的区域上；半导体晶体管，设置于每个所述分析场中，所述半导体晶体管设置为阵列；字线，设置于所述多个分析场的每个上，在第一方向将所述半导体晶体管彼此连接；和位线结构，在所述多个分析场的每个上，在第二方向将所述半导体晶体管彼此连接，其中，所述位线结构在所述多个分析场的每个中配置为不同的图案。 | ||
| 申请公布号 | CN1805139A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510128845.X | 申请日期 | 2005.12.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李起岩;权相德;李钟弦 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种用于半导体失效分析的分析结构，包括：多个分析场，设置于半导体器件的预定的区域上；半导体晶体管，设置于每个所述分析场中，所述半导体晶体管设置为阵列；字线，设置于所述多个分析场的每个上，在第一方向将所述半导体晶体管彼此连接；和位线结构，在所述多个分析场的每个上，在第二方向将所述半导体晶体管彼此连接，其中，所述位线结构在所述多个分析场的每个中配置为不同的图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||